[发明专利]一种透明掩模板及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211301150.7 | 申请日： | 2022-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN115497812A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 韩斌;王光辉;马淑芳;许并社;穆涵香;刘博;王豆;胡雨 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 庄华红 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 透明 模板 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种透明掩模板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、分别在铜胶带和热释放胶带的中心打圆孔，并孔对孔将热释放胶带和铜胶带贴紧，之后在热释放胶带一侧贴一层PET胶带，制得待加工样品；
S2、采用磁控溅射工艺在S1待加工样品中的PET胶带表面镀一层导电金属薄膜；
S3、将S2处理后的样品置于聚焦离子束中，先绘制掩模图案，之后对圆孔中心掩模区域的PET胶带进行粗加工至PET胶带切透，得到预设掩模图案的孔，再调整束流对孔进行细加工，即得到PET掩模板；
S4、腐蚀掉PET掩模板中的导电金属薄膜，即制得透明掩模板。
2.根据权利要求1所述的透明掩模板的制备方法，其特征在于，S1中，所述铜胶带的厚度为1-50um。
3.根据权利要求1所述的透明掩模板的制备方法，其特征在于，S1中，所述PET胶带的厚度为1-20um。
4.根据权利要求1所述的透明掩模板的制备方法，其特征在于，S1中，铜胶带上圆孔的直径为0.5mm-5mm，热释放胶带上圆孔的直径为0.5mm-5mm。
5.根据权利要求1所述的透明掩模板的制备方法，其特征在于，S3中，掩模图案通过以下步骤绘制：将S2处理后的样品置于聚焦离子束中，在真空条件下，样品台旋转53°时，打开Ga离子源，获取待加工样品的图像，确定样品需要掩模的坐标位置，调整粗加工的束流，在聚焦离子束的操作主屏幕上根据实际需求画出掩模图案。
6.根据权利要求5所述的透明掩模板的制备方法，其特征在于，S3中，粗加工的束流为500-90000pA，细加工的束流为1-50000pA，细加工的束流小于粗加工的束流。
7.根据权利要求1所述的透明掩模板的制备方法，其特征在于，S3中，所述细加工是使孔的边缘平整度为10-30nm。
8.根据权利要求1所述的透明掩模板的制备方法，其特征在于，S2中，所述导电金属薄膜中的金属为金、银或铜。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法制得的透明掩模板。
10.根据权利要求9所述的透明掩模板在半导体器件制备中的应用，其特征在于，将所述透明掩模板贴于衬底材料上，并利用磁控溅射工艺溅射金属电极，制得半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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