[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，包括以下工序：

工序(a)，提供具备蚀刻对象膜和掩模膜的基板，所述掩模膜形成于所述蚀刻对象膜的上表面，所述掩模膜具有在所述蚀刻对象膜的所述上表面规定出至少一个开口的侧面和从所述侧面延伸出到所述蚀刻对象膜的所述上表面的至少一部分的延伸部；

工序(b)，在所述掩模膜的至少所述侧面形成沉积膜；以及

工序(c)，使用由第一处理气体生成的等离子体，至少对所述沉积膜的一部分进行蚀刻来使所述沉积膜的厚度减少，

其中，所述第一处理气体包含用于对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的气体，

执行所述工序(c)直到在深度方向上所述蚀刻对象膜的一部分被蚀刻以使得所述延伸部被去除为止。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，

在所述工序(b)中，形成在所述掩模膜的所述侧面具有第一部分且在所述掩模膜的上表面具有第二部分的沉积膜。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，

在所述工序(c)中，所述第一部分的蚀刻量比所述第二部分的蚀刻量小。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，

在所述工序(c)中，向支承所述基板的基板支承器提供电偏压。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述蚀刻对象膜是含硅膜，所述沉积膜是有机膜，所述第一处理气体包含含卤气体、以及含有氧、氢及氮中的至少任一种元素的气体。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述蚀刻对象膜是有机膜，所述沉积膜是含硅膜，所述第一处理气体包含含卤气体、以及含有氧、氢及氮中的至少任一种元素的气体。

7.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述蚀刻对象膜是含硅膜，所述沉积膜是含硅膜，所述第一处理气体包含含卤气体。

8.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述蚀刻对象膜是有机膜，所述沉积膜是有机膜，所述第一处理气体包含含有氧、氢及氮中的至少任一种元素的气体。

9.根据权利要求5至7中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述含卤气体是含氟气体。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述含氟气体是从由NF₃气体、SF₆气体、HF气体以及C_tH_uF_v系气体构成的组中选择的至少一种气体，其中，t和v为正整数，u为0以上的整数。

11.根据权利要求5、6及8中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述含有氧、氢及氮中的至少任一种元素的气体是从由O₂气体、O₃气体、CO气体、CO₂气体、H₂气体、H₂O气体、H₂O₂气体、NH₃气体以及NO气体构成的组中选择的至少一种气体。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述第一处理气体包含从由HBr气体、HCl气体、Br₂气体、Cl₂气体以及HI气体构成的组中选择的至少一种气体。