[发明专利]一种超短波长倏逝波生成器及其光学移频超分辨成像装置在审
| 申请号： | 202211309974.9 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115508284A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 凌进中;李敬城;郭金坤;王昱程;王晓蕊 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/01 | 分类号： | G01N21/01;G01N21/84 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 杨晔 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超短 波长 倏逝波 生成器 及其 光学 移频超 分辨 成像 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种超短波长倏逝波生成器，其特征在于，包括基底(1)和其表面的微纳结构，所述微纳结构是由一组等间距同心圆环(2)构成的亚波长微纳结构。
2.根据权利要求1所述的一种超短波长倏逝波生成器，其特征在于，所述基底(1)和微纳结构均为透明的电介质材料。
3.根据权利要求1或2所述的一种超短波长倏逝波生成器，其特征在于，所述微纳结构中的相邻圆环(2)的间隔周期小于入射光波长。
4.根据权利要求1或3所述的一种超短波长倏逝波生成器，其特征在于，所述微纳结构的刻蚀深度为百纳米量级。
5.根据权利要求1或3所述的一种超短波长倏逝波生成器，其特征在于，所述圆环(2)的亚波长的同心结构可通过光刻、离子束刻蚀、激光直写或者纳米压印中任意一种方式蚀刻在基底表面。
6.基于根据权利要求1至5任意一种超短波长倏逝波生成器构成的光学移频超分辨成像装置，其特征在于，依次布置包括：
用于产生波前为平面的非偏振单色可见光的平面光源(3)；
用于产生具有全波矢方向的超短波长倏逝波的倏逝波生成器；
用于将产生的超短波长倏逝波散射为传播波的成像样品(4)；
用于接收传播波的显微物镜(5)和筒镜(6)；
用于成像的CCD(7)。
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