[发明专利]一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法

权利要求书

1.一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法，其特征是，将待脱物质在具有真空环境的脱低装置中脱小分子挥发份，所述脱低装置包括蒸发面和冷凝面，所述冷凝面表面覆盖有由薄膜流体形成的吸收液膜，使待脱物质在蒸发面上流动形成蒸发液膜并受热，待脱物质中小分子挥发份逸出后被吸收液膜吸收，随吸收液膜流动脱离脱低装置。

2.根据权利要求1所述的一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法，其特征是，所述待脱物质为液体聚合物、可熔融聚合物或热敏小分子化合物。

3.根据权利要求2所述的一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法，其特征是，所述待脱物质为聚甲基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷、聚苯基硅氧烷、聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法，其特征是，薄膜流体为待脱物质或经过初步脱挥的待脱物质。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法，其特征是，所述薄膜流体为在冷凝面温度下自身饱和蒸气压小于10Pa的挥发份溶剂。

6.根据权利要求1所述的一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法，其特征是，所述蒸发面和冷凝面平行相对设置，待脱物质和薄膜流体可在重力作用下分别在蒸发面、冷凝面上自上而下流动。

7.根据权利要求6所述的一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法，其特征是，所述蒸发面与冷凝面的距离为0.5-500mm。

8.根据权利要求1所述的一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法，其特征是，所述真空环境的真空度为0.01-1000Pa。

9.根据权利要求1所述的一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法，其特征是，所述蒸发液膜的厚度为0.05-0.2mm。

10.根据权利要求1或9所述的一种从高沸点单体、聚合物中脱除挥发物的方法，其特征是，所述待脱物质与薄膜流体的体积比为（1-9）：1。