[发明专利]用于光掩模布局的光学邻近校正的方法

说明书

一种掩模布局光学邻近校正(OPC)方法，包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，从而将光掩模布局校正为第一建模布局；选择通过使用分割掩模的布局进行建模而获得的控制参数中的一个控制参数，从而将第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于第二建模布局，检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月23日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2021-0185937的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的示例实施例涉及一种用于光掩模布局的光学邻近校正(OPC)的方法。

背景技术

在半导体工艺中，为了在半导体衬底(例如，晶片等)上形成图案，可以使用掩模来执行光刻工艺。掩模可以指图案转移制品，在该图案转移制品中，由不透明材料制成的图案结构形成在透明基材上。在掩模制造工艺中，可以首先设计所需电路，然后可以设计该电路的布局，然后可以将通过光学邻近校正(OPC)获得的最终设计数据作为掩模流片(MTO)设计数据进行传输。随后，可以通过基于MTO设计数据执行掩模数据准备(MDP)、执行前端(FEOL)工艺(例如，曝光工艺等)和后端(BEOL)工艺(例如，缺陷检查等)来制造掩模。

发明内容

本公开的示例实施例提供了一种光学邻近校正(OPC)方法，该方法考虑光掩模的实际布局，基于通过OPC获得的掩模数据来检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。

根据本公开的示例性实施例的掩模布局光学邻近校正(OPC)方法包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，从而将光掩模布局校正为第一建模布局；选择通过使用分割掩模的布局进行建模而获得的控制参数中的一个控制参数，从而将第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于第二建模布局，检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。

根据本公开的示例性实施例的掩模布局光学邻近校正(OPC)方法包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，从而将光掩模布局校正为第一建模布局；在校正为第一建模布局之后，基于仿真的轮廓图案，从光掩模布局计算边缘放置误差(EPE)；确定EPE是否不大于预定容差；在确定EPE是否不大于预定容差之后，选择通过使用分割掩模的布局进行建模而获得的控制参数中的至少一个控制参数，从而将第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于第二建模布局来检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。

根据本公开的示例性实施例的掩模布局光学邻近校正(OPC)方法包括：实际制造分割掩模；测量分割掩模中的掩模图案；提取分割掩模的布局轮廓；基于布局轮廓对分割掩模进行建模；使用建模后的掩模中的正确制造的部分和未正确制造的部分两者来执行校准；以及推导出通过校准获得的值和通过基于布局轮廓进行建模而获得的值之间的关系，从而从推导出的关系获得控制参数；确定要在衬底上形成的目标图案；基于目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，从而将光掩模布局校正为第一建模布局；选择控制参数中的至少一个控制参数，从而将第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于第二建模布局来检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。

附图说明

图1是示意性地示出了根据本公开的一些示例实施例的光学邻近校正(OPC)方法的过程的算法流程图。

图2至图5是说明图1中的操作的图。

图6是说明图1的MRC解决方案的示意性流程图。

图7是说明图6的光掩模建模的示意性流程图。

图8是说明在光掩模建模中将第一建模布局校正为第二建模布局的图。

图9是示意性地示出了根据本公开的一些示例实施例的OPC方法的过程的算法流程图。