[发明专利]一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法

权利要求书

1.一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，其特征在于，所述异常硅棒是指在拉制后受到氧施主的影响，而发生导电类型反转或电阻率虚高的高电阻硅棒；所述高电阻硅棒为直拉法制得的目标电阻率大于70欧姆厘米的P型单晶硅棒，所述目标电阻率是基于拉制前实际加入的掺杂剂浓度换算得到的；所述掺杂剂为硼；所述硅棒的直径大于300mm；

所述电阻率虚高是指电阻率超过目标电阻率20%或以上；

所述方法包括以下步骤：

S1：将异常硅棒加热至600-700℃，保温50-100min；

S2：继续加热至850-950℃，保温50-70min；

S3：继续加热至1000-1200℃，保温50-70min；

S4：将硅棒温度降低至700-900℃，保温50-70min；

S5：继续将硅棒以大于120℃/min的冷却速度降温至常温；

在所述S1步骤前，先将加热炉中抽真空。

2.根据权利要求1所述的解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，其特征在于，所述S1包括：

将高电阻硅棒，在40min内，加热至600-700℃。

3.根据权利要求1所述的解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，其特征在于，所述S2包括：

在30min内，加热至850-950℃。

4.根据权利要求1所述的解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，其特征在于，所述S3包括：

在30min内，加热至1000-1200℃。

5.根据权利要求1所述的解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，其特征在于，所述S4包括：

在100min内，降低至700-900℃。

6.根据权利要求1所述的解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，其特征在于，所述S5包括：

将硅棒移出加热炉，对硅棒喷洒冷却液，以使硅棒降温至常温。

7.根据权利要求6所述的解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，其特征在于，所述S5包括：

将硅棒移出加热炉，浸入冷却液中，以使硅棒降温至常温。

8.根据权利要求1-7任一项所述的解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，其特征在于，在所述S1步骤前，先将加热炉中抽真空，然后通入惰性气体，以彻底排出加热炉中的氧气。

9.根据权利要求1所述的解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法，其特征在于，所述硅棒的直径400-500mm。