[发明专利]半导体结构的制备方法和具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，至少包括如下步骤：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有一第一沟槽，所述第一沟槽的下部空间的内表面上覆盖有屏蔽介质层，所述屏蔽介质层包围形成第一容置空间；

在所述第一容置空间内形成屏蔽栅，并沿所述半导体衬底的上表面向上的方向继续延伸所述屏蔽栅，直至屏蔽栅的顶部与所述半导体衬底的上表面齐平，且在所述第一沟槽内的所述屏蔽栅的两侧分别形成一由所述半导体衬底、屏蔽介质层和屏蔽栅包围而成的第二容置空间；

在每一所述第二容置空间的内表面上依次形成堆叠的第一氧化层和第二氧化层，并将堆叠在一起的所述第一氧化层和第二氧化层作为所述半导体结构的栅氧化层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成第一氧化层的工艺为ISSG工艺。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成所述第二氧化层的工艺为热氧化工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度范围为：

5.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度范围为：

6.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一容置空间内形成屏蔽栅之后，且在每一所述第二容置空间的内表面上形成第一氧化层之前，所述方法还包括在每一所述第二容置空间的内表面上形成SAC保护层。

7.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述SAC保护层的材料包括二氧化硅。

8.如权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在每一所述第二容置空间的内表面上形成所述第一氧化层之前，所述制备方法还包括：利用刻蚀工艺去除所述SAC保护层，以使去除了所述SAC保护层之后的第二容置空间的侧壁沿平行于所述半导体衬底的方向回缩。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在每一所述第二容置空间的内表面上形成所述第二氧化层之后，所述制备方法还包括在所述第二容置空间内形成多晶硅栅，以使形成的所述多晶硅栅至少填满形成完所述第二氧化层之后的所述第二容置空间中的剩余空间。

10.一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管，其特征在于，采用如权利要求1～9任一项所述的半导体结构的制备方法制备而成。