[发明专利]一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺

权利要求书

1.一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺，其特征在于：其改善工艺包括以下步骤：

S1、首先降低工艺腔体接取片温度可以起到降低弯曲度及翘曲度的作用，由于外延设备仅工艺腔长期维持高温环境，其他传输腔保持常温，硅衬底进出工艺腔时会面临温度突变导致变形的问题，工艺腔的接取片的进行实时降低，降低了温度的突变，可以改善弯曲度、翘曲度；

S2、然后调整硅衬底在腔内的升温速度和过程可以减少热应力的堆积降低其形变量，降低升温速率可以减少该类形变带来的弯曲度、翘曲度变化，通过将升温速率调整至一定频次，同时使用两步升温方法---升温至相应的合适温度后维持一定时间进行第二次升温，直至合适的温度；

S3、最后平衡外延过程中的温场分布改善外延片弯曲度、翘曲度，外延过程中硅衬底处于较稳定的状态，但此时衬底的状态受温场分布影响会直接影响到外延片的弯曲度、翘曲度，通过调整上下lamp功率比和内外圈加热灯管温度比可直接改变温场分布，从而改变衬底的形变量，进而达到抵消部分衬底凹或凸的形变的目的，如增加TOP Lamp功率配比可使wafer正面温度升高、背面温度降低引起衬底发生“凸”的形变在此状态下进行外延可以抵消掉部分衬底带来“凹”的形变，上下灯管的功率比可接受范围为52％至58％。

2.根据权利要求1所述的一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺，其特征在于：所述工艺腔的接取片的温度由800℃降低至650℃，且升温速率调整至6.5℃/分钟。

3.根据权利要求1所述的一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺，其特征在于：所述使用两步升温方法---升温至1120℃，且需要维持的时间为30秒进行第二次升温至1120℃。