[发明专利]铜表面晶花的细化方法、腐蚀液组合及其应用

权利要求书

1.一种铜表面晶花的细化方法，其特征在于，包括如下步骤：

将铜材表面先采用第一腐蚀液进行第一腐蚀，然后采用第二腐蚀液进行第二腐蚀；

所述第一腐蚀液包括质量分数为23%~27%的氨水和质量分数为1%~5%的双氧水；

所述第二腐蚀液包括质量分数为1%~4%的硫酸和质量分数为0.5%~2.5%的过硫酸钠；

进行第一腐蚀的时间为3min~8min；进行第二腐蚀的时间为2min~3min。

2.根据权利要求1所述的铜表面晶花的细化方法，其特征在于，所述第一腐蚀液中氨水的质量分数为25%，双氧水的质量分数为3%。

3.根据权利要求1所述的铜表面晶花的细化方法，其特征在于，所述第二腐蚀液中硫酸的质量分数为2.5%，过硫酸钠的质量分数为1.5%。

4.根据权利要求1~3任一项所述的铜表面晶花的细化方法，其特征在于，进行第一腐蚀的时间为4min~6min；进行第二腐蚀的时间为2min~2.5min。

5.根据权利要求1~3任一项所述的铜表面晶花的细化方法，其特征在于，还包括如下步骤：

对经两次腐蚀后的铜材表面进行封闭处理。

6.根据权利要求5所述的铜表面晶花的细化方法，其特征在于，对经两次腐蚀后的铜材表面进行封闭处理的封闭材料为绿油。

7.一种如权利要求1~6任一项所述的铜表面晶花的细化方法在半导体材料加工工艺中的应用。