[发明专利]一种BTO结构的形成方法

权利要求书

1.一种掩膜图形，其特征在于，包括：

第一掩膜图形，所述第一掩膜图形包括形状成网络状的光刻胶交联区；

第二掩膜图形，所述第二掩膜图形包括多个沿第一方向间隔排列且形状为长方形的栅沟槽区；

第三掩膜图形，所述第三掩膜图形包括多个沿第一方向且与所述第二掩膜图形间隔排列的曝光开口区。

2.如权利要求1所述的掩膜图形，其特征在于，所述第三掩膜图形用于在光刻胶层上形成湿法刻蚀时的药液入口。

3.一种基于权利要求1-2中任一项所述的掩膜图形的BTO结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底的上表面为第一主面，下表面为第二主面，对所述第一主面进行刻蚀，形成沟槽；

形成厚氧化层与光刻胶层，所述厚氧化层覆盖在所述沟槽内壁及除沟槽外的半导体衬底表面上，并在所述厚氧化层的表面上涂布光刻胶，所述光刻胶至少填满沟槽；

采用权利要求1～2中任一项所述的掩膜图形，对所述第三掩膜图形中的曝光开口区进行曝光、显影形成并打开湿法刻蚀时的药液入口；

采用湿法刻蚀工艺去除所述除沟槽外的半导体衬底表面及沟槽内壁上一定高度的厚氧化层；

刻蚀去除所述沟槽内的光刻胶，并在沟槽内壁及除沟槽外的半导体衬底表面上成长出栅氧化层，形成MOSFET器件。

4.如权利要求3所述的BTO结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述沟槽内壁上一定高度的厚氧化层后所述沟槽底部剩余的厚氧化层的厚度是所述栅氧化层的厚度的1.5倍～10倍。

5.如权利要求3所述的BTO结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述沟槽内壁上一定高度的厚氧化层的刻蚀量为10％的沟槽深度～90％的沟槽深度。

6.如权利要求3所述的BTO结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽内壁及除沟槽外的半导体衬底表面上形成厚氧化层，具体包括：

采用热氧工艺在沟槽内壁及除沟槽外的半导体衬底表面上生长厚氧化层；

或者，采用热氧+淀积氧化层的复合氧，形成厚氧化层。

7.如权利要求3所述的BTO结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀时的药液经所述打开的湿法刻蚀时的药液入口进入所需湿法刻蚀区域，以去除所述除沟槽外的半导体衬底表面上与沟槽内壁上目标高度所对应的厚氧化层。

8.如权利要求3所述的BTO结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀去除沟槽内壁以及除沟槽外的半导体衬底表面上的厚氧化层的湿法刻蚀液为氢氟酸或者热磷酸。