[发明专利]选择性蚀刻方法及装置

权利要求书

1.一种选择性蚀刻方法，其特征在于，用于对反应槽密封腔体内的待刻蚀物进行刻蚀，所述方法包括：

控制所述密封腔体的内部涌入预设体积的目标蚀刻剂，所述目标蚀刻剂包括第一含量的蒸馏水及第二含量的酸性物质，所述第一含量大于所述第二含量，所述预设体积小于所述密封腔体的容积；以及

根据获取的温度压力控制指令控制设置于所述密封腔体的侧壁的加热装置加热，在预定时间内维持所述密封腔体内的温度在所述温度压力控制指令指示的温度范围，以及气压在所述温度压力控制指令指示的压力范围，利用所述目标蚀刻剂选择性刻蚀并去除所述待刻蚀物上的待刻蚀层。

2.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述第一含量为[90%，99%]；以及

所述第二含量为[1%，10%）。

3.根据权利要求2所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述温度范围为[120℃，180℃]；及/或

所述压力范围为[101KPA，1000KPA]。

4.根据权利要求3所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述预定时间关联于所述待刻蚀层的刻蚀速率及刻蚀量。

5.根据权利要求4所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述预定时间取决于所述刻蚀量与所述刻蚀速率的比值。

6.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，在所述密封腔体内的温度维持在所述温度范围内预定时间之后，还包括：

控制设置于所述密封腔体的底部的卸压阀打开，排除所述密封腔体内的液体；

控制设置于所述密封腔体的顶盖的喷淋部向所述待刻蚀物喷淋温度梯度递减的清洗液，以降温并去除所述待刻蚀物上的颗粒物；以及

控制所述加热装置以预设烘干温度对所述待刻蚀物进行干燥处理。

7.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述预设体积为所述密封腔体的容积的50%-80%。

8.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述酸性物质包括二氧化碳、氮气、柠檬酸、醋酸或其组合。

9.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括氮化硅层、氮氧化硅层、氮碳化硅层、氧化硅层或其组合。

10.一种选择性蚀刻装置，其特征在于，用于对反应槽密封腔体内的待刻蚀物进行刻蚀，所述装置包括：

温度与压力监控模块，用于监控所述密封腔体内的温度与气压；

控制器，与所述温度与压力监控模块连接，被配置为：

控制所述密封腔体的内部涌入预设体积的目标蚀刻剂，所述目标蚀刻剂包括第一含量的蒸馏水及第二含量的酸性物质，所述第一含量大于所述第二含量，所述预设体积小于所述密封腔体的容积；以及

根据温度压力控制指令控制设置于所述密封腔体的侧壁的加热装置加热，在预定时间内维持所述密封腔体内的温度在所述温度压力控制指令指示的温度范围，以及气压在所述温度压力控制指令指示的压力范围，利用所述目标蚀刻剂选择性刻蚀并去除所述待刻蚀物上的待刻蚀层。