[发明专利]用于探测碳酸二乙酯气体的红外滤光片及其制备方法

权利要求书

1.一种用于探测碳酸二乙酯气体的红外滤光片，其特征在于，所述的红外滤光片包括基底、主膜系结构和截止膜系结构，所述的主膜系结构和截止膜系结构分别设置于所述的基底的两侧；

所述的主膜系结构为：

Si/0.11L1.23H1.07H0.98H0.98L2.00H0.99L0.98H1.02L1.09H1.01L0.99H0.98L1.99H0.99L0.83H0.44L/Air；

所述的截止膜系结构为：

Si/0.26L 0.32(0.5HL0.5H)^6 0.48(0.5HL0.5H)^6 0.70(0.5HL0.5H)^61.35(0.5LH0.5L)^5 1.7(0.5LH0.5L)^5/Air；

其中，Si表示光学级单晶硅基底材料，Air表示空气，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，L为四分之一波长光学厚度的ZnS膜层，^5和^6为膜堆的重复次数，膜堆前的数字为膜厚系数，设计波长为7900nm。

2.根据权利要求1所述的用于探测碳酸二乙酯气体的红外滤光片，其特征在于，所述的红外滤光片的中心波长为7900±50nm，带宽280±20nm，峰值透射率＞80％，且截止区间1500～7300nm和8500～16000nm波段透射率＜1％。

3.一种用于制备权利要求1或2所述的用于探测碳酸二乙酯气体的红外滤光片的方法，其特征在于，所述的方法包括步骤：

(1)将基底装入夹具并放置到镀膜机真空室内，抽真空；

(2)烘烤基底；

(3)离子轰击基底；

(4)在基底的一侧，按照主膜系结构要求的膜层逐层镀制主膜系结构；

(5)将基底翻面，重复步骤(1)～(3)，在基底的另一侧，按照截止膜系结构要求的膜层逐层镀制截止膜系结构；

(6)镀制结束后，破空，取件。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的步骤(1)具体为：

将单晶硅片基底材料装入夹具并放置到镀膜机真空室内，将本底真空度抽至8×10^-4Pa；

所述的步骤(2)具体为：

在190℃～210℃下烘烤基底材料，并保持恒温100～120分钟；

所述的步骤(3)具体为：

采用霍尔离子源离子轰击所述的基底材料6～10min，其中，离子源使用高纯氧气，气体流量为15～30sccm；

所述的步骤(6)具体为：

镀制结束后，烘烤温度降至20～40℃，进行破空、取件。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的步骤(4)具体为：

按照主膜系结构要求的膜层逐层镀制主膜系结构，采用电子束蒸发工艺蒸发Ge膜料，采用电阻蒸发工艺蒸发ZnS膜料，其中Ge膜的镀膜速率为0.4～0.6nm/s，ZnS膜的镀膜速率为1.0～3.0nm/s，沉积过程使用光控进行膜厚监控和判停，晶控用于监控镀膜速率。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的步骤(5)具体为：

将镀好主膜系结构的基底反转，并重复步骤(1)～(3)，在基底的另一侧，按照截止膜系结构要求的膜层逐层镀制截止膜系结构，采用电子束蒸发工艺蒸发Ge膜料，Ge膜的镀膜速率为0.4～0.6nm/s，采用电阻蒸发工艺蒸发ZnS膜料，ZnS膜的镀膜速率为1.0～3.0nm/s，沉积过程使用光控进行膜厚监控和判停，晶控用于监控镀膜速率。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的方法还包括步骤：

(7)使用PE spectrum two傅里叶变换红外光谱仪测量滤光片正入射时的透射率光谱。

8.一种红外热释电传感器，其特征在于，所述的红外热释电传感器设置权利要求1或2所述的用于探测碳酸二乙酯气体的红外滤光片。