[发明专利]过渡金属硫化物薄膜及其制法、阻变存储器及其制法

权利要求书

1.一种过渡金属硫化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

提供前驱体，所述前驱体选自硫代钼酸铵、硫代钨酸铵、硫代钒酸铵中的至少一种；

将所述前驱体和有机溶剂混合，得到前驱体溶液；

将所述前驱体溶液涂覆到第一衬底上并干燥以由此形成前驱体膜；

提供具有形成于其上的硫化物膜的第二衬底；

将具有形成于其上的前驱体膜的第一衬底和具有形成于其上的硫化物膜的第二衬底以前驱体膜与硫化物膜面接触的形式层叠以由此形成层叠体；

将所述层叠体在含氢气氛中进行退火，得到具有形成于其上的过渡金属硫化物薄膜的第一衬底。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂包括二甲基甲酰胺、正丁胺和乙醇胺；

优选的，所述二甲基甲酰胺、正丁胺和乙醇胺的质量比为4～6：1.5～2.5：1；

更优选的，所述二甲基甲酰胺、正丁胺和乙醇胺的质量比为5:2:1。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液的浓度为1wt％～6wt％。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，通过选自喷涂、旋涂、刷涂、浸涂、辊涂构成的组的工艺将所述前驱体溶液涂覆到所述第一衬底上；

优选为2000-3000r/min的旋涂。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硫化物膜为硫化锌膜，通过电子束镀膜机在所述第二衬底表面蒸镀所述硫化锌膜。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，将所述层叠体在含氢气氛中进行退火包含在800℃～850℃的温度下进行退火20～40min。

7.一种过渡金属硫化物薄膜，其通过权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到。

8.一种阻变存储器，其特征在于，由下至上包括衬底、底电极、阻变层、顶电极；

所述阻变层包括权利要求7所述的过渡金属硫化物薄膜或权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到的过渡金属硫化物薄膜。

9.一种权利要求8所述阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成底电极；

在所述底电极背离所述衬底一侧形成阻变层；

在所述阻变层背离所述衬底一侧形成顶电极。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述底电极背离所述衬底一侧形成阻变层的具体步骤为：

将PMMA涂覆到所述具有形成于其上的过渡金属硫化物薄膜的第一衬底上并烘干，形成PMMA薄膜；

用热释放胶带黏附所述PMMA薄膜；

采用碱液刻蚀所述第一衬底，得到过渡金属硫化物薄膜/PMMA薄膜/热释放胶带；

将过渡金属硫化物薄膜/PMMA薄膜/热释放胶带表面有过渡金属硫化物薄膜的一面贴合到所述底电极背离所述衬底一侧；

加热使所述热释放胶带失去粘性，然后揭去所述热释放胶带；

采用丙酮去除PMMA薄膜，即得。