[发明专利]一种具有粉刺肌肤修复功效的羟基积雪草苷的提取工艺及应用在审
申请号: | 202211328053.7 | 申请日: | 2022-10-27 |
公开(公告)号: | CN115887274A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 王静;戴莉丝;许余江胜 | 申请(专利权)人: | 广州好肌肤科技有限公司 |
主分类号: | A61K8/63 | 分类号: | A61K8/63;A61K8/9789;A61Q19/00;C07J63/00 |
代理公司: | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人: | 梁剑 |
地址: | 510710 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 粉刺 肌肤 修复 功效 羟基 积雪草 提取 工艺 应用 | ||
本发明公开了一种具有粉刺肌肤修复功效的羟基积雪草苷的提取工艺及应用,包括积雪草提取物的羟基积雪草苷在制备粉刺肌肤修复产品中的应用,提取的羟基积雪草苷的质量分为1%‑100%;提取的羟基积雪草苷的质量分为90%‑100%,其中羟基积雪草苷的质量分为90%的产品添加浓度为0.1%‑2%。根据本发明,获得肌肤修复功效体现的羟基积雪草苷,纯度高,安全无刺激,特别适合应用在儿童抗粉刺类产品以及强化肌肤屏障效的护理产品中。
技术领域
本发明涉及中药制备的技术领域,特别涉及一种具有粉刺肌肤修复功效的羟基积雪草苷的提取工艺及应用。
背景技术
针对于儿童皮肤问题中最为多见的儿童痤疮,出现最多的类型——青春期前痤疮,青春期前痤疮一般表现为前额、鼻部、下颚以粉刺为主的痤疮,发病原因中内因主要是由于皮脂大量分泌、毛囊皮脂腺导管口异常角化、痤疮丙酸杆菌定植、免疫炎症反应和遗传相关;外因主要是由于情绪、饮食、使用护肤品不当及日晒等因素引起。症状表现以粉刺为主,轻中度的表现为丘疹、脓包等,这些症状的表现中,与微生物相关的早期主要由链球菌、中后期主要由痤疮丙酸杆菌造成,治疗方案可通过外用、口服抗菌药物,使用角质溶解或剥脱的抗粉刺类护肤品,抗炎、抗菌的抗粉刺类护肤品等治疗手段。
经研究,治疗痤疮的护肤品中活性物的功效靶点可总结为以下几点:1) 抑制皮脂分泌;2)抗炎、抗化学趋化;3)角质溶解或剥脱;4)抗痤疮丙酸杆菌;5)修复皮肤屏障;6)光防护。其中修复皮肤屏障的过程中,应用比较成熟的成分有:透明质酸可明显改善表皮通透屏障功能和增加角质层含水量,还具有抗炎作用;天然油脂提取物,包括橄榄油、葵花籽油、椰子油、燕麦油、摩洛哥坚果油等提取物具有修复皮肤屏障的功能,可缓解皮肤敏感程度,提高患者对治疗药物的耐受性。但活性成分不宜添加较多,以免堵塞毛孔。
发明内容
针对现有技术中存在的不足之处,本发明的目的是提供一种具有粉刺肌肤修复功效的羟基积雪草苷的提取工艺及应用,获得肌肤修复功效体现的羟基积雪草苷,纯度高,安全无刺激,特别适合应用在儿童抗粉刺类产品以及强化肌肤屏障效的护理产品中。为了实现根据本发明的上述目的和其他优点,提供了
积雪草提取物的羟基积雪草苷在制备粉刺肌肤修复产品中的应用。
优选的,提取的羟基积雪草苷的质量分为1%-100%。
优选的,提取的羟基积雪草苷的质量分为90%-100%,其中羟基积雪草苷的质量分为90%的产品添加浓度为0.1%-2%。
一种具有粉刺肌肤修复功效的羟基积雪草苷的提取工艺,包括:
S1、将积雪草全草粉碎进行搅拌提取;
S2、通过压滤,并进行药液上树脂柱吸附,用乙醇将有效成分从树脂柱洗脱出来;
S3、通过将药液上脱色树脂柱,对药液进行脱色,脱色液经刮板浓缩器浓缩至稠膏;
S4、转至D级洁净区的微波干燥箱进行烘干;
S5、通过粉碎、过筛、总混,即得积雪草总苷;
S6、将乙醇溶解分离积雪草苷,得到羟基积雪草苷粗品;
S7、通过95%乙醇溶解精制,烘干,粉碎过筛网后,即得羟基积雪草苷。
优选的,步骤S1中将将积雪草全草粉碎至60目细粉,投入提取罐中,每罐900kg细粉,加入4.5吨沸水搅拌提取2小时。
优选的,步骤S5与步骤S7中的过筛均为100目。
优选的,步骤S6中的乙醇为5倍95%乙醇。
羟基积雪草苷在制备抗过敏产品中的应用。
羟基积雪草苷在制备化学灼伤修护产品中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州好肌肤科技有限公司,未经广州好肌肤科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211328053.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:红细胞浓度变化处理方法、装置、系统及介质
- 下一篇:发光二极管及发光装置