[发明专利]用于增强芯片安全性的电子熔丝（EFUSE）设计

权利要求书

1.一种集成电路(IC)，包括

电子熔丝(eFuse)，被配置为可选择地被编程到逻辑状态；

电子电路装置，被配置为：读取所述电子熔丝并且根据从所述电子熔丝读取的所述逻辑状态进行操作，

所述电子熔丝具有第一操作电压范围，并且所述电子电路装置具有第二操作电压范围，所述第二操作电压范围比所述第一操作电压范围宽；并且

其中所述IC还包括保护电路，所述保护电路被配置为防止所述电子电路装置由于对所述IC的电压供给落在所述第二操作电压范围内但在所述第一操作电压范围之外而误读所述电子熔丝的所述逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的IC，其中所述保护电路被配置为防止以下：即使所述电子熔丝的所述逻辑状态指定安全模式，所述电压供给也使所述电子电路装置以非安全模式操作。

3.根据权利要求1所述的IC，其中所述保护电路包括多个参考电子熔丝，所述多个参考电子熔丝被预编程到相应的预定义逻辑状态，所述保护电路被配置为：在所述IC的现场操作期间，验证从所述参考电子熔丝读取的实际逻辑状态与所述相应的预定义逻辑状态相匹配。

4.根据权利要求1所述的IC，其中所述保护电路包括一个或多个附加电子熔丝，所述附加电子熔丝被编程到与所述电子熔丝相同的逻辑状态，所述保护电路被配置为：验证从所述附加电子熔丝读取的逻辑状态与所述电子熔丝的所述逻辑状态相匹配。

5.根据权利要求1所述的IC，其中所述保护电路包括电压调节器，所述电压调节器被配置为向所述电子熔丝提供落在所述第一操作电压范围内的经调节电压，不管对所述IC的所述电压供给是落在所述第一操作电压范围内还是落在所述第一操作电压范围外。

6.根据权利要求1所述的IC，其中所述电子熔丝被编程到目标逻辑状态，所述目标逻辑状态选自第一逻辑状态和第二逻辑状态，所述第一逻辑状态由所述电子熔丝的第一电阻范围表征，所述第二逻辑状态由所述电子熔丝的第二电阻范围表征，以及所述第一范围和所述第二范围由边限分开，并且其中所述保护电路包括被配置为执行以下操作的电路装置：感测所述电子熔丝的编程后电阻，并且当所述编程后电阻落在所述第一范围与所述第二范围之间的所述边限中时，恢复为将所述IC中的另一个电子熔丝编程到所述目标逻辑状态。

7.根据权利要求1所述的IC，其中所述第一操作电压范围和所述第二操作电压范围至少部分地彼此重叠。

8.一种用于使集成电路(IC)中的电子熔丝(eFuse)可靠的方法，所述方法包括：

读取所述电子熔丝，并且根据从所述电子熔丝读取的所述逻辑状态来操作所述IC中的电子电路装置，所述电子熔丝具有第一操作电压范围，并且所述电子电路装置具有第二操作电压范围，所述第二操作电压范围比所述第一操作电压范围宽；以及

防止所述电子电路装置由于对所述IC的电压供给落在所述第二操作电压范围内但在所述第一操作电压范围之外而误读所述电子熔丝的所述逻辑状态。

9.根据权利要求8所述的方法，其中防止所述电子电路装置误读所述电子熔丝的所述逻辑状态包括：防止即使所述电子熔丝的所述逻辑状态指定安全模式，所述电压供给也使所述电子电路装置以非安全模式操作。

10.根据权利要求8所述的方法，其中防止所述电子电路装置误读所述电子熔丝的所述逻辑状态包括：在所述IC的现场操作期间读取多个参考电子熔丝，所述多个参考电子熔丝被预编程到相应的预定义逻辑状态；以及验证从所述参考电子熔丝读取的实际逻辑状态与所述相应的预定义逻辑状态相匹配。

11.根据权利要求8所述的方法，其中防止所述电子电路装置误读所述电子熔丝的所述逻辑状态包括：读取一个或多个附加电子熔丝，所述附加电子熔丝被编程到与所述电子熔丝相同的逻辑状态；以及验证从所述附加电子熔丝读取的所述逻辑状态与所述电子熔丝的所述逻辑状态相匹配。