[发明专利]一种曲面天线曲面电阻结构及其原位增材制造方法在审

专利信息
申请号: 202211330949.9 申请日: 2022-10-28
公开(公告)号: CN115513662A 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 方杰;崔西会;刘建国;徐利明;万养涛;黎康杰;许冰;李文;吴婷;冯雪华;王强;张香朋;邢泽勤;罗涛;刘川;廖伟;何东;邓强;叶永贵;钟贵朝;阳晓明;赵淋兵 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: H01Q1/50 分类号: H01Q1/50;H01Q1/38;H01C7/22;H01C7/00;B33Y10/00;B23P15/00;B23K26/342
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 贾林
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 曲面 天线 电阻 结构 及其 原位 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种曲面天线曲面电阻结构,设置在曲面天线介质的表面;其特征在于,包括若干组辐射单元、曲面电阻;所述曲面电阻的两端分别与两组辐射单元连接;在所述曲面天线介质的表面设置有工艺槽,所述曲面电阻采用增材制造的方式加工在所述工艺槽内。

2.根据权利要求1所述的一种曲面天线曲面电阻结构,其特征在于,所述曲面电阻位于两组辐射单元之间且采用搭接相互连接。

3.根据权利要求1所述的一种曲面天线曲面电阻结构,其特征在于,所述曲面电阻阻值满足以下公式:

其中,ρ为材料电阻率;

L为曲面电阻的弧长度;

w为宽度;

d为厚度;d≥50um;

m为电阻与辐射单元的搭接长度;m为0.15-0.5mm。

4.根据权利要求3所述的一种曲面天线曲面电阻结构,其特征在于,所述曲面电阻为浆料方阻;所述曲面电阻采用钌系浆料制成,其方阻阻值为10Ω、100Ω、1kΩ、10kΩ中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种曲面天线曲面电阻结构,其特征在于,所述曲面电阻的长度包括有效面、以及设置在有效面两端的搭接面,所述有效面的长度为L-2m,所述曲面电阻的厚度为0.05-0.5mm;

所述工艺槽的曲率与曲面天线介质的曲率一致,其深度为D,0.1mm≥D>0mm,所述工艺槽的长宽与曲面电阻的长宽一致;

所述曲面天线介质采用高分子材料或陶瓷制成。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种曲面天线曲面电阻结构的原位增材制造方法,其特征在于,具体包括以下步骤:

步骤S1:采用激光减材制造方法进行工艺槽加工;

采用“十”字网格法加工,调整固定在夹具上的曲面天线介质至振镜范围进行扫描和加工;

步骤S2:曲面电阻待加工位置表面的粗化处理;

步骤S3:在工艺槽内采用激光增材制造进行曲面电阻制备;

步骤S4:采用干冰射流定向喷射方法对曲面电阻的表面进行强化处理;

步骤S5:利用激光调阻的方法对曲面电阻进行调阻;

步骤S6:曲面电阻表面防护处理,完成制备。

7.根据权利要求6所述的一种曲面天线曲面电阻结构的原位增材制造方法,其特征在于,采用紫外纳秒激光器进行工艺槽制造;

所述紫外纳秒激光器发射的激光波长为355nm,紫外纳秒激光器功率设置为1.5-2W,紫外纳秒激光器的振镜扫描次数为10-20次,扫描速度为2000-3000mm/s。

8.根据权利要求6所述的一种曲面天线曲面电阻结构的原位增材制造方法,其特征在于,所述步骤S3具体包括以下步骤:

步骤S31:在完成曲面电阻表面粗化处理后,根据浆料方阻的方阻阻值选用对应的钌系浆料;

步骤S32:将钌系浆料涂覆在工艺槽并进行高温预固化成型;

步骤S33:利用连续激光直接照射涂覆区域内的钌系浆料,将其烧结固化,制造出曲面电阻;其中,所述连续激光的功率密度6*104-8*104W/cm2、扫描速度为5-8mm/s。

9.根据权利要求8所述的一种曲面天线曲面电阻结构的原位增材制造方法,其特征在于,所述步骤S32具体是指:

采用直写笔将将钌系浆料涂覆在工艺槽内,其中直写笔的预置速率为8-12mm/s,驱动气压为0.1-0.2MPa。

10.根据权利要求6所述的一种曲面天线曲面电阻结构的原位增材制造方法,其特征在于,所述步骤S5具体是指:

将步骤S4处理后的曲面电阻装夹在激光调阻设备上;

调整激光调阻设备的探针位置至曲面电阻两端的搭接电路并接触;

根据初始电阻值大小选用图形切割法,调整阻值至曲面电阻的设计值。

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