[发明专利]一种曲面天线曲面电阻结构及其原位增材制造方法在审
申请号: | 202211330949.9 | 申请日: | 2022-10-28 |
公开(公告)号: | CN115513662A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 方杰;崔西会;刘建国;徐利明;万养涛;黎康杰;许冰;李文;吴婷;冯雪华;王强;张香朋;邢泽勤;罗涛;刘川;廖伟;何东;邓强;叶永贵;钟贵朝;阳晓明;赵淋兵 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01Q1/50 | 分类号: | H01Q1/50;H01Q1/38;H01C7/22;H01C7/00;B33Y10/00;B23P15/00;B23K26/342 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 贾林 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 曲面 天线 电阻 结构 及其 原位 制造 方法 | ||
1.一种曲面天线曲面电阻结构,设置在曲面天线介质的表面;其特征在于,包括若干组辐射单元、曲面电阻;所述曲面电阻的两端分别与两组辐射单元连接;在所述曲面天线介质的表面设置有工艺槽,所述曲面电阻采用增材制造的方式加工在所述工艺槽内。
2.根据权利要求1所述的一种曲面天线曲面电阻结构,其特征在于,所述曲面电阻位于两组辐射单元之间且采用搭接相互连接。
3.根据权利要求1所述的一种曲面天线曲面电阻结构,其特征在于,所述曲面电阻阻值满足以下公式:
其中,ρ为材料电阻率;
L为曲面电阻的弧长度;
w为宽度;
d为厚度;d≥50um;
m为电阻与辐射单元的搭接长度;m为0.15-0.5mm。
4.根据权利要求3所述的一种曲面天线曲面电阻结构,其特征在于,所述曲面电阻为浆料方阻;所述曲面电阻采用钌系浆料制成,其方阻阻值为10Ω、100Ω、1kΩ、10kΩ中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的一种曲面天线曲面电阻结构,其特征在于,所述曲面电阻的长度包括有效面、以及设置在有效面两端的搭接面,所述有效面的长度为L-2m,所述曲面电阻的厚度为0.05-0.5mm;
所述工艺槽的曲率与曲面天线介质的曲率一致,其深度为D,0.1mm≥D>0mm,所述工艺槽的长宽与曲面电阻的长宽一致;
所述曲面天线介质采用高分子材料或陶瓷制成。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种曲面天线曲面电阻结构的原位增材制造方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
步骤S1:采用激光减材制造方法进行工艺槽加工;
采用“十”字网格法加工,调整固定在夹具上的曲面天线介质至振镜范围进行扫描和加工;
步骤S2:曲面电阻待加工位置表面的粗化处理;
步骤S3:在工艺槽内采用激光增材制造进行曲面电阻制备;
步骤S4:采用干冰射流定向喷射方法对曲面电阻的表面进行强化处理;
步骤S5:利用激光调阻的方法对曲面电阻进行调阻;
步骤S6:曲面电阻表面防护处理,完成制备。
7.根据权利要求6所述的一种曲面天线曲面电阻结构的原位增材制造方法,其特征在于,采用紫外纳秒激光器进行工艺槽制造;
所述紫外纳秒激光器发射的激光波长为355nm,紫外纳秒激光器功率设置为1.5-2W,紫外纳秒激光器的振镜扫描次数为10-20次,扫描速度为2000-3000mm/s。
8.根据权利要求6所述的一种曲面天线曲面电阻结构的原位增材制造方法,其特征在于,所述步骤S3具体包括以下步骤:
步骤S31:在完成曲面电阻表面粗化处理后,根据浆料方阻的方阻阻值选用对应的钌系浆料;
步骤S32:将钌系浆料涂覆在工艺槽并进行高温预固化成型;
步骤S33:利用连续激光直接照射涂覆区域内的钌系浆料,将其烧结固化,制造出曲面电阻;其中,所述连续激光的功率密度6*104-8*104W/cm2、扫描速度为5-8mm/s。
9.根据权利要求8所述的一种曲面天线曲面电阻结构的原位增材制造方法,其特征在于,所述步骤S32具体是指:
采用直写笔将将钌系浆料涂覆在工艺槽内,其中直写笔的预置速率为8-12mm/s,驱动气压为0.1-0.2MPa。
10.根据权利要求6所述的一种曲面天线曲面电阻结构的原位增材制造方法,其特征在于,所述步骤S5具体是指:
将步骤S4处理后的曲面电阻装夹在激光调阻设备上;
调整激光调阻设备的探针位置至曲面电阻两端的搭接电路并接触;
根据初始电阻值大小选用图形切割法,调整阻值至曲面电阻的设计值。
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