[发明专利]一种氧化石墨烯神经形态忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化石墨烯神经形态忆阻器，其特征在于，包括：

透明基底；

氧化石墨烯功能层，设置于所述透明基底的一侧；

忆阻器电极，设置于所述氧化石墨烯功能层相对于透明基底的另一侧。

2.根据权利要求1所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器，其特征在于：所述忆阻器电极设有多个，多个所述忆阻器电极位于氧化石墨烯功能层的同一面，所述忆阻器电极包括栅极、源极和漏极，器件测试时数个栅极分别分布在源极和漏极之间或者外侧。

3.根据权利要求1所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器，其特征在于：所述忆阻器电极为采用真空蒸镀的金属电极，或采用化学还原方式或激光诱导方式制备的图案化还原氧化石墨烯电极。

4.根据权利要求1所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器，其特征在于：所述透明基底采用柔性PET基底，厚度范围为25～125μm。

5.一种根据权利要求1-4任一项所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：

称量氧化石墨烯粉末置于烧杯中，加入去离子水配制氧化石墨烯溶液；

对用作透明基底的PET薄膜进行预处理，分别用丙酮、无水乙醇和去离子水进行超声清洗，吹干后作为透明基底；

将氧化石墨烯溶液涂布在透明基底上制成湿膜，烘干后形成氧化石墨烯功能层；

采用真空蒸镀的方法制备忆阻器电极；

在所述氧化石墨烯功能层上设置忆阻器电极，得到所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器。

6.根据权利要求5所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：

采用冷冻诱导自组装法，在所述氧化石墨烯溶液涂膜时，在湿膜或溶液的侧面放置液氮、干冰丙酮浴低温介质，配合层状热导体形成冷冻峰，在微观上限制溶液中的氧化石墨烯仅在二维平面内进行自组装，形成严格叠层状网格的薄膜。

7.一种根据权利要求1-4任一项所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：

称量氧化石墨烯粉末置于烧杯中，加入去离子水配制氧化石墨烯溶液；

对用作透明基底的PET薄膜进行预处理，分别用丙酮、无水乙醇和去离子水进行超声清洗，吹干后作为透明基底；

将氧化石墨烯溶液涂布在透明基底上制成湿膜，烘干后形成氧化石墨烯功能层；

采用化学还原法制备忆阻器电极；

在所述氧化石墨烯功能层上设置忆阻器电极，得到所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器。

8.根据权利要求7所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：

采用冷冻诱导自组装法，在所述氧化石墨烯溶液涂膜时，在湿膜或溶液的侧面放置液氮、干冰丙酮浴低温介质，配合层状热导体形成冷冻峰，在微观上限制溶液中的氧化石墨烯仅在二维平面内进行自组装，形成严格叠层状网格的薄膜。

9.一种根据权利要求1-4任一项所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：

称量氧化石墨烯粉末置于烧杯中，加入去离子水配制氧化石墨烯溶液；

对用作透明基底的PET薄膜进行预处理，分别用丙酮、无水乙醇和去离子水进行超声清洗，吹干后作为透明基底；

将氧化石墨烯溶液涂布在透明基底上制成湿膜，烘干后形成氧化石墨烯功能层；

采用激光辐照的方法制备忆阻器电极；

在所述氧化石墨烯功能层上设置忆阻器电极，得到所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器。

10.一种根据权利要求1-4任一项所述的氧化石墨烯神经形态忆阻器在柔性电子领域和可穿戴电子设备中的应用。