[发明专利]Micro-LED芯片外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供GaAs衬底，在所述GaAs衬底上形成外延层；

(2)在所述外延层远离所述GaAs衬底的一表面上形成牺牲层，得到第一外延结构；

(3)将所述第一外延结构与玻璃片键合；

(4)去除所述GaAs衬底，暴露所述外延层，得到第二外延结构；

(5)将所述第二外延结构与蓝宝石衬底键合；

(6)去除所述玻璃片；

(7)去除所述牺牲层，得到Micro-LED芯片外延片成品；

其中，所述牺牲层为Ti层、Au层、SiN_x层中的一种或多种。

2.如权利要求1所述的Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，所述牺牲层包括依次形成于所述外延层上的SiN_x层、Ti层和Au层；

所述SiN_x层的厚度为所述Ti层的厚度为所述Au层的厚度为

3.如权利要求1所述的Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，在所述玻璃片和所述牺牲层上均涂覆第一有机粘结剂，然后将所述玻璃片与所述第一外延结构键合；

其中，所述第一有机粘结剂选用硅基胶、环氧树脂化合物、BCB胶、聚酰亚胺胶中的一种或多种；

其中，键合程序为：

在2000-2700s内将键合温度由10-30℃升高至200-230℃，且维持键合压力为0；

在1800-2000s内将键合温度由200-230℃升高至220-260℃，且将键合压力由0升高至750-850kgf/cm²；

在600-1000s内将键合温度由220-260℃降低至40-80℃，且维持键合压力为750-850kgf/cm²。

4.如权利要求3所述的Micro-LED芯片外延片，其特征在于，所述第一有机粘接剂选用BCB46胶；

在涂覆第一有机粘结剂前，涂覆增粘剂，所述增粘剂选用AP3000。

5.如权利要求1所述的Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，采用NH₄OH和H₂O₂的混合液去除所述GaAs衬底，其中，NH₄OH与H₂O₂的体积比为1:(8-10)；

步骤(6)中，采用HF溶液腐蚀去除所述玻璃片；

步骤(7)中，采用HF溶液和/或TFA溶液去除所述牺牲层；

所述TFA溶液包括：碘4-5.5重量份，KI 8-12重量份，水35-50体积份。

6.如权利要求5所述的Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，所述外延层与所述GaAs衬底之间形成有截止层，所述截止层为n-(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP层，其中，x为0.2-0.4，y为0.4-0.6；

步骤(4)中，去除GaAs衬底后，采用HCl和H₃PO₄的混合液去除所述截止层；其中，HCl和H₃PO₄的体积比为(1.8-2.5):1。