[发明专利]半导体功率器件及制造半导体功率器件的方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件，包括：

第一传导端子和第二传导端子；

半导体主体，包含碳化硅并具有第一导电类型；

多个主体阱，具有第二导电类型，所述多个主体阱在所述半导体主体中并且彼此隔开主体距离；

所述主体阱中的源极区；

富集层；以及

浮置腔体，具有所述第二导电类型，在所述半导体主体中的位于所述半导体主体的第一面和第二面之间距所述主体阱一定距离处，所述富集层在所述第一面和所述主体阱之间。

2.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述半导体主体包括具有所述第一导电类型和第一掺杂水平的第一外延层，以及具有所述第一导电类型和高于所述第一掺杂水平的第二掺杂水平的第二外延层；

所述主体阱在所述第二外延层中；以及

所述浮置腔体位于所述第一外延层中。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述浮置腔体在所述第一外延层与所述第二外延层的交界面处。

4.根据权利要求1所述的器件，所述浮置腔体彼此由保护距离间隔，所述保护距离大于所述主体距离。

5.根据权利要求4所述的器件，其中在垂直于所述半导体主体的所述第一面和所述第二面的方向上，在所述浮置腔体和对应的所述主体阱之间的保护-到-主体的距离小于0.5μm。

6.根据权利要求4所述的器件，其中在横向于所述半导体主体的所述第一面和所述第二面的方向上，在所述浮置腔体和所述对应的主体阱之间的保护-到-主体的距离小于所述主体距离。

7.根据权利要求3所述的器件，其中所述半导体主体包括中间外延层，所述中间外延层布置在所述第一外延层和所述第二外延层之间，并且具有在所述第一掺杂水平和所述第二掺杂水平之间的中间掺杂水平，并且其中覆盖所述第一外延层的所述外延层是所述中间外延层。

8.根据权利要求7所述的器件，包括在所述中间外延层中位于与所述第二外延层的交界面处的具有所述第二导电类型的中间浮置腔体。

9.根据权利要求2所述的器件，其中所述富集层具有高于所述第一掺杂水平和所述第二掺杂水平的第三本征掺杂水平，并且其中所述第一外延层具有第一厚度，所述第二外延层具有第二厚度，并且所述富集层具有小于所述第一厚度和所述第二厚度的第三厚度。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述浮腔体布置在相应的主体阱下面，并且以大于所述主体距离的保护距离彼此分隔，所述主体距离在0.5μm和1.5m的范围内。

11.根据权利要求1所述的器件，其中所述主体距离小于1μm。

12.一种方法，包括：

在包含碳化硅且具有第一导电类型的半导体主体中形成主体阱，所述主体阱具有第二导电类型并且彼此隔开主体距离；

在所述主体阱中形成具有所述第一导电类型的源区；以及

在所述半导体主体中在所述半导体主体的第一面和第二面之间距所述主体阱一定距离处形成具有所述第二导电类型的浮置腔体；

形成所述浮置腔体，所述浮置腔体彼此间隔小于所述主体距离的保护距离。

13.根据权利要求12所述的方法，包括：形成具有所述第一导电类型和第一掺杂水平的第一外延层，以及形成具有所述第一导电类型和高于所述第一掺杂水平的第二掺杂水平的第二外延层；以及在所述第一外延层中形成所述浮置腔并且在所述第二外延层中形成所述主体阱。