[发明专利]基于小型微波复合多层基板的大功率PMOS器件应用的实现方法

说明书

本发明公开了基于小型微波复合多层基板的大功率PMOS器件应用的实现方法，包括有R04003、FR‑4、RT6010和PMOS器件，其实现方法步骤如下：多层板的顶层采用R04003板材，中间层采用FR‑4板材作为电源层，底层采用RT6010板材。PMOS器件的信号通过多层板的盲、埋孔过度到顶层电路。在基板布局时，将PMOS器件安装在对应的顶层进行开窗处理。将PMOS器件安装在下层。在装配时，可直接用螺钉固定在组件盒体内。本发明借鉴LTCC基板的原理，微波组件中采用微波复合多层基板安装大功率PMOS器件，比LTCC基板安装大功率PMOS器件方式减少了钼铜载板，在不降低散热效率的前提下提高了装配效率以及器件的可靠性，同时微波复合多层基板价格便宜很多，在低频微波组件中可以降低很多制造成本。

技术领域

本发明涉及小型微波组件领域，具体涉及到基于小型微波复合多层基板的大功率PMOS器件应用的实现方法。

背景技术

小型化微波组件中，大功率PMOS器件通常采用裸芯片封装，由于功率大，器件的散热要求比较高，通常需要在芯片地面加装合金垫片来加强导热以及热应力匹配。随着基板工艺的发展，基于LTCC工艺的基板可以替代合金垫片，同时本身又是电路基板，极大提高了集成度。

LTCC基板制作成本太高，不利于成本控制严格的产品应用。同时LTCC基板对装配工艺要求较高，大功率器件应用中LTCC基板不能直接烧结在盒体内，需要增加钼铜载板。

针对上述问题，本发明提供了一种对装配工艺要求不高的基于小型微波复合多层基板的大功率PMOS器件应用的实现方法。

发明内容

本发明提供了一种对装配工艺要求不高的基于小型微波复合多层基板的大功率PMOS器件应用的实现方法。

本发明的目的是提供基于小型微波复合多层基板的大功率PMOS器件应用的实现方法，包括有R04003、FR-4、RT6010和PMOS器件，其实现方法步骤如下：

1).多层板的顶层采用R04003板材，中间层采用FR-4板材作为电源层，底层采用RT6010板材。

2).PMOS器件的信号通过多层板的盲、埋孔过度到顶层电路。

3).在基板布局时，将PMOS器件安装在对应的顶层进行开窗处理。

4).将PMOS器件安装在下层。

5).在装配时，可直接用螺钉固定在组件盒体内。

本发明具有以下优势：本发明借鉴LTCC基板的原理，微波组件中采用微波复合多层基板安装大功率PMOS器件，比LTCC基板安装大功率PMOS器件方式减少了钼铜载板，在不降低散热效率的前提下提高了装配效率以及器件的可靠性，同时微波复合多层基板价格便宜很多，在低频微波组件中可以降低很多制造成本。

附图说明

图1为本发明的安装示意图。

图中：1、PMOS器件；2、开窗处；3、R04003板材；4、FR-4板材；5、RT6010板材。

具体实施方式

本发明提供了基于小型微波复合多层基板的大功率PMOS器件应用的实现方法，包括有R04003、FR-4、RT6010和PMOS器件，其实现方法步骤如下：

步骤一、多层板的顶层采用R04003板材，中间层采用FR-4板材作为电源层，底层采用RT6010板材。

步骤二、PMOS器件的信号通过多层板的盲、埋孔过度到顶层电路。

步骤三、在基板布局时，将PMOS器件安装在对应的顶层进行开窗处理。

步骤四、将PMOS器件安装在下层。