[发明专利]一种用于全息存储技术的二维纳米材料及其制备方法

说明书

本发明涉及全息聚合物材料技术领域，具体涉及一种用于全息存储技术的二维纳米材料及其制备方法。该材料由以下质量比的原料制备而成：RGO溶液：MMA：AIBN：PQ)＝2：100：1：1～1.3，所述RGO溶液中RGO纳米粒子的粒径为15～30μm。该二维纳米材料将特定粒径的RGO纳米粒子引入PQ/PMMA材料可大幅度提高全息存储材料性能的正交偏振衍射效率和感光灵敏度。

技术领域

本发明涉及全息聚合物材料技术领域，具体涉及一种用于全息存储技术的二维纳米材料及其制备方法。

背景技术

体全息存储技术以光波作为信息载体并将信息记录在三维立体空间，具有数据存储容量大、传输速率快、可并行读写等特点。

全息存储材料是全息存储技术重要的媒介，公布号为CN112812210A的中国发明专利公开了一种PQ/PMMA光致聚合物材料热聚合工艺和PQ/PMMA光致聚合物材料及其全息光盘，该发明使用MMA(甲基丙烯酸甲酯)、AIBN(偶氮二异丁腈)和PQ(菲醌)制备光致聚合物，性能稳定，制备得到的聚甲基丙烯酸甲酯(PQ/PMMA)具有感光灵敏度高、成本低和不必要的后期处理等优点，是作为全息存储应用的重要材料。但PQ/PMMA材料的衍射效率、感光灵敏度等全息光学性能较低，限制了其在全息数据存储中的大规模应用。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种用于全息存储技术的二维纳米材料及其制备方法，该二维纳米材料可大幅度提高全息存储材料的正交偏振衍射效率和感光灵敏度。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种用于全息存储技术的二维纳米材料，由以下质量比的原料制备而成：

RGO(还原氧化石墨烯)溶液：MMA(甲基丙烯酸甲酯)：AIBN(偶氮二异丁腈)：PQ(菲醌)＝2：100：1：1～1.3，所述RGO溶液中RGO纳米粒子的粒径为15～30μm。

本发明的另一技术方案为：上述二维纳米材料的制备方法，包括以下步骤：

将RGO溶液、MMA(甲基丙烯酸甲酯)、AIBN(偶氮二异丁腈)和PQ(菲醌)按2：100：1：1～1.3的质量比进行混合，依次经过超声振荡、水浴搅拌、冷却、烘烤，制备得到还原氧化石墨烯二维纳米材料；所述RGO溶液中RGO纳米粒子的粒径为15～30μm。

本发明的有益效果在于：RGO纳米粒子具有超高的弹性模量、强度、优良的导热导电性能、巨大的比表面积和光学性能，具备良好的亲水性和分散性，可实现与其它聚合物材料的集成。本发明的二维纳米材料将特定粒径的RGO纳米粒子引入PQ/PMMA材料可大幅度提高全息存储材料性能的正交偏振衍射效率和感光灵敏度。

附图说明

图1所示为本发明的实施例一～四与对比例一～三的正交偏振衍射效率测试图；

图2所示为本发明的实施例一～四与对比例一～三的感光灵敏度测试图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本发明最关键的构思在于：将特定粒径的RGO纳米粒子引入PQ/PMMA材料可大幅度提高全息存储材料性能的正交偏振衍射效率和感光灵敏度。

本发明的用于全息存储技术的二维纳米材料，由以下质量比的原料制备而成：

RGO(还原氧化石墨烯)溶液：MMA(甲基丙烯酸甲酯)：AIBN(偶氮二异丁腈)：PQ(菲醌)＝2：100：1：1～1.3，RGO溶液中RGO纳米粒子的粒径为15～30μm。优选地，RGO溶液中RGO纳米粒子的粒径为15～20μm。