[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的电子系统

权利要求书

1.一种电极结构，包括：

导电电极，所述导电电极包括第一表面；

绝缘层，其位于所述导电电极上，所述绝缘层与所述导电电极的所述第一表面接触；以及

纳米点图案，所述纳米点图案位于所述导电电极中并且与所述导电电极的所述第一表面间隔开，所述纳米点图案包括平行于所述导电电极的所述第一表面排列的纳米点，并且所述纳米点中的每个纳米点包括：

第一侧表面，其与所述导电电极的所述第一表面相邻，所述第一侧表面是平坦的并且平行于所述导电电极的所述第一表面，以及

第二侧表面，其与所述第一侧表面相对，所述第二侧表面在远离所述导电电极的所述第一表面的方向上是凸起的。

2.如权利要求1所述的电极结构，其中，所述纳米点中的每个纳米点的所述第一侧表面与相邻的第一侧表面沿直线对齐。

3.如权利要求1所述的电极结构，其中，所述纳米点中的每个纳米点包括TiN。

4.如权利要求1所述的电极结构，其中，所述导电电极包括钨。

5.如权利要求1所述的电极结构，其中，所述纳米点图案包括第一图案和第二图案，所述第一图案与所述导电电极的所述第一表面间隔开第一距离，并且所述第二图案与所述第一图案间隔开第二距离。

6.如权利要求5所述的电极结构，其中，所述第一图案的纳米点与所述第二图案的纳米点具有相同的形状。

7.如权利要求5所述的电极结构，其中，所述第一图案的纳米点之间的距离小于所述第二图案的纳米点之间的距离。

8.如权利要求1所述的电极结构，其中：

所述导电电极包括与所述第一表面相对的第二表面，并且

所述纳米点图案包括第一图案和第二图案，所述第一图案与所述第一表面间隔开第一距离，所述第二图案与所述第二表面间隔开第二距离。

9.如权利要求8所述的电极结构，其中，所述第一距离等于所述第二距离。

10.如权利要求1所述的电极结构，其中，所述纳米点的厚度为2埃至10埃。

11.如权利要求1所述的电极结构，其中，所述纳米点图案与所述导电电极的所述第一表面之间的距离为5埃到15埃。

12.一种半导体装置，包括：

衬底；

单元阵列结构，其位于所述衬底上，所述单元阵列结构包括交替地堆叠的多个电极和多个绝缘层；

竖直沟道结构，其穿透所述多个电极；以及

纳米点图案，其位于所述多个电极中的第一电极中，所述纳米点图案包括平行于所述第一电极的底表面的第一图案、平行于所述第一电极的侧表面的第二图案和平行于所述第一电极的顶表面的第三图案，并且所述第一图案、所述第二图案和所述第三图案中的每一个包括纳米点，

其中，所述第一电极的侧表面平行于所述竖直沟道结构的侧表面，

其中，所述第一图案的纳米点与所述第一电极的底表面间隔开，并且平行于所述第一电极的底表面排列，

其中，所述第二图案的纳米点与所述第一电极的侧表面间隔开，并且平行于所述第一电极的侧表面排列，并且

其中，所述第三图案的纳米点与所述第一电极的顶表面间隔开，并且平行于所述第一电极的顶表面排列。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中，所述第一电极包括钨，并且所述纳米点包括TiN。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其中：

所述第二图案的纳米点中的每个纳米点包括与所述第一电极的侧表面相邻的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，

所述第一表面是平坦的，并且平行于所述第一电极的侧表面，以及

所述第二表面在远离所述第一表面的方向上是凸起的。