[发明专利]一种滤波器的晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供一厚度20um的正性光致抗蚀干膜，通过第一光罩对正性光致抗蚀干膜进行第一次曝光，曝光剂量250mj，曝光深度为所述正性光致抗蚀干膜的厚度；通过第二光罩对正性光致抗蚀干膜进行第二次曝光，曝光剂量100mj，曝光深度不超过所述正性光致抗蚀干膜厚度的一半；

2)进行显影，其中第一次曝光的区域显影后形成通孔，第二次曝光的区域显影后形成凹槽；

3)将正性光致抗蚀干膜贴合在晶圆表面，所述晶圆形成有若干滤波器芯片，所述滤波器芯片具有功能区和布线，其中所述凹槽与功能区围合形成空腔，部分布线对应通孔并露出；

4)于80～250℃下烘烤0.5～1.5h；

5)沉积金属于所述通孔之内与所述布线连接；

6)对封装后晶圆进行切割，形成单个滤波器封装结构。

2.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于：所述正性光致抗蚀干膜为感光性环氧树脂，所述第一次曝光和第二次曝光采用I线光。

3.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于：所述第一次曝光和第二次曝光的曝光间隙为10-30um。

4.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于：步骤2)中，显影次数为2次，每次30～60s；冲洗次数为2次，每次4～8s。

5.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于：步骤3)中，采用覆膜压合工艺将所述正性光致抗蚀干膜贴合在晶圆表面，温度25℃～60℃。

6.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于：步骤5)中，采用化镀或电镀工艺沉积所述金属；还包括采用锡膏印刷和高温回流焊工艺于所述金属顶端形成锡球。

7.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于：步骤1)中，所述正性光致抗蚀干膜一面还设有保护膜，在进行第一次曝光时，同时曝光预设切割道区域，在步骤2)的显影后形成切割道。

8.根据权利要求7所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于：步骤3)中，将所述正性光致抗蚀干膜背离所述保护膜的一面贴合至所述晶圆表面，贴合后剥离所述保护膜。

9.根据权利要求8所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于：步骤6)中，采用激光切割或机械切割的方式沿所述切割道进行切割工序。

10.根据权利要求7所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于：所述保护膜为PET膜，厚度为30～60um。