[发明专利]光检测装置有效
申请号: | 202211344606.8 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN115696074B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 朝妻智彦;中村良助;饭田聡子;冲田晃史 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H04N25/57 | 分类号: | H04N25/57;H04N25/62;H04N25/70;H04N25/76;H04N25/77;H04N23/12;H01L27/14;H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈睆;姚鹏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
1.一种光检测装置,其包括:
第一光电转换区域,在横截面图中,所述第一光电转换区域被布置在基板中;
第二光电转换区域,在所述横截面图中,所述第二光电转换区域被布置在所述基板中,并且被布置成与所述第一光电转换区域相邻;
第三光电转换区域,在所述横截面图中,所述第三光电转换区域被布置在所述基板中,并且被布置成与所述第一光电转换区域相邻;
第一沟槽,在所述横截面图中,所述第一沟槽被布置在所述第一光电转换区域与所述第二光电转换区域之间;
第二沟槽,在所述横截面图中,所述第二沟槽被布置在所述第一光电转换区域与所述第三光电转换区域之间;
第一遮光膜,在所述横截面图中,所述第一遮光膜被布置在所述第一沟槽上方;以及
第二遮光膜,在所述横截面图中,所述第二遮光膜被布置在所述第二沟槽上方;
其中,在所述横截面图中,所述第一光电转换区域的面积大于所述第二光电转换区域的面积,
其中,在所述横截面图中,所述第一光电转换区域的面积大于所述第三光电转换区域的面积,
其中,在所述横截面图中,所述第一遮光膜的中心部分被布置在所述第一光电转换区域的中心部分与所述第一沟槽的中心部分之间,并且
其中,在所述横截面图中,所述第二遮光膜的中心部分被布置在所述第一光电转换区域的所述中心部分与所述第二沟槽的中心部分之间。
2.根据权利要求1所述的光检测装置,
其中,所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域对应,以接收第一颜色的光。
3.根据权利要求2所述的光检测装置,
其中,所述第三光电转换区域接收第二颜色的光,所述第二颜色不同于所述第一颜色。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光检测装置,
其中,在所述横截面图中,所述第一遮光膜的宽度大于所述第一沟槽的宽度。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的光检测装置,
其中,在所述横截面图中,所述第二遮光膜的宽度大于所述第二沟槽的宽度。
6.根据权利要求3所述的光检测装置,其还包括:
第四光电转换区域,在所述横截面图中,所述第四光电转换区域被布置在所述基板中,并且被布置成与所述第三光电转换区域相邻。
7.根据权利要求6所述的光检测装置,其还包括:
第三沟槽,在所述横截面图中,所述第三沟槽被布置在所述第三光电转换区域与所述第四光电转换区域之间。
8.根据权利要求7所述的光检测装置,其还包括:
第三遮光膜,在所述横截面图中,所述第三遮光膜被布置在所述第三沟槽上方。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的光检测装置,
其中,在所述横截面图中,所述第四光电转换区域的面积大于所述第三光电转换区域的面积。
10.根据权利要求8所述的光检测装置,
其中,在所述横截面图中,所述第三遮光膜的中心部分被布置在所述第四光电转换区域的中心部分与所述第三沟槽的中心部分之间。
11.根据权利要求6至8中任一项所述的光检测装置,
其中,所述第四光电转换区域与所述第三光电转换区域对应,以接收所述第二颜色的光。
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