[发明专利]一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用在审
| 申请号： | 202211345253.3 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115568277A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 胡志宇;张帅;吴振华;罗思远;刘泽昆;刘妍;施慧烈;傅理夫 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 过渡 金属 硫硒化物异质结忆阻器 及其 应用 | ||
1.一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层，其中，所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。
2.根据权利要求1所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，所述二维过渡金属硫硒化物异质结层的制备过程包括以下步骤：
(1)利用分子束外延法制备过渡金属硒化物；
(2)利用化学气相沉积法对过渡金属硒化物进行硫化，得到过渡金属硫硒化物；
(3)对过渡金属硫硒化物进行退火处理，即完成。
3.根据权利要求2所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，步骤(1)中，过渡金属硒化物的化学组成为MSex，层数为m，x≥1，m≥1，其中，M为过渡金属单质。
4.根据权利要求3所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，步骤(1)中，分子束外延法所用的靶源为过渡金属单质M与硒。
5.根据权利要求3所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，所述过渡金属单质M为铂或钯。
6.根据权利要求2所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，步骤(2)的化学气相沉积法中，进行硫化所用的硫源为硫化氢或硫单质，所得过渡金属硫硒化物的化学组成为MSeyS(x-y)，y＜x。
7.根据权利要求2所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，步骤(2)的化学气相沉积法中，基底温度为100～800℃，硫化时间为1～500min。
8.根据权利要求2所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，步骤(3)中，退火的温度为100～500℃，时间为1～48h。
9.根据权利要求2所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，所述衬底为无机材料或者有机聚合物材料，厚度为1-1000μm；
所述底电极层和顶电极层的材料为金属、合金、导电氧化物或导电氮化物的一种或多种，厚度为10-1000nm。
10.如权利要求1-9任一所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器的应用，其特征在于，该忆阻器用于逻辑电路、阻变存储、神经形态计算、人工智能领域中。
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