[发明专利]倒装芯片封装中用于管芯附接的带有无阻碍界面区域的导电构件

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

具有器件侧的半导体管芯；

耦合至所述器件侧的导电层；

耦合至所述导电层的导电支柱，所述导电支柱具有上部部分和底座部分，所述上部部分的直径比所述底座部分的直径宽；

耦合至所述导电层并围绕所述导电支柱的聚酰亚胺层；

耦合至所述导电支柱的焊料层，其中所述聚酰亚胺层不在所述导电支柱的顶面和所述焊料层之间延伸；以及

导电端子，其耦合至所述焊料层并暴露于所述半导体封装的表面，所述半导体管芯的所述器件侧面向所述导电端子。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电支柱包括铜。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电支柱具有蘑菇状。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电支柱的所述顶面具有凸形。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电支柱的所述上部部分比所述聚酰亚胺层延伸得更远离所述半导体管芯的所述器件侧。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电端子是引线框架的一部分。

7.一种半导体封装，包括：

具有器件侧的半导体管芯；

耦合至所述器件侧的导电层；

耦合至所述导电层的导电支柱，所述导电支柱具有上部部分和底座部分，所述底座部分的直径比所述上部部分的直径宽；

耦合至所述导电层并围绕所述导电支柱的聚酰亚胺层；

耦合至所述导电支柱的焊料层，其中所述聚酰亚胺层不在所述导电支柱的顶面和所述焊料层之间延伸；以及

导电端子，其耦合至所述焊料层并暴露于所述半导体封装的表面，所述半导体管芯的所述器件侧面向所述导电端子。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述导电支柱包括铜。

9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述导电支柱的所述底座部分具有从所述上部部分延伸至所述导电层的倾斜侧。

10.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述导电支柱的所述顶面具有凸形。

11.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述导电支柱的所述上表面比所述聚酰亚胺层延伸得更远离所述半导体管芯的所述器件侧。

12.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述导电端子是引线框架的一部分。

13.一种制造半导体封装的方法，包括：

提供具有器件侧的半导体晶片；

在所述器件侧之上形成导电层；

在所述导电层之上形成导电支柱，所述导电支柱具有底座部分和上部部分，其中所述底座部分和所述上部部分中的一个部分比另一个部分宽；

形成与所述导电层邻接并围绕所述导电支柱的聚酰亚胺层；

将导电构件定位在所述导电支柱上，其中所述聚酰亚胺层不在所述导电支柱的顶面和所述导电构件之间延伸；

回流所述导电构件；

单片化所述半导体晶片，以产生具有所述导电层、所述导电支柱、所述聚酰亚胺层和经回流的导电构件的管芯；

使用回流技术将所述经回流的导电构件耦合至导电端子，从而产生将所述导电支柱耦合至所述导电端子的焊料层；以及

在模制件中覆盖所述管芯、所述导电支柱、所述焊料层和所述导电端子，所述导电端子暴露于所述模制件的表面。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述导电构件包括铜。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述上部部分的直径比所述底座部分的直径宽。