[发明专利]半导体工艺腔室及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：腔体(400)、内衬(200)和下电极结构(100)，所述内衬(200)和所述下电极结构(100)均设置于所述腔体(400)内；

所述下电极结构(100)包括基座(110)、接口件(120)、承载件(140)、射频馈入件(150)和屏蔽件(160)；所述承载件(140)用于承载晶圆；

所述基座(110)通过悬臂(500)与所述腔体(400)的侧壁连接；

所述接口件(120)和所述承载件(140)沿第一方向依次叠置于所述基座(110)；

所述内衬(200)环设于所述下电极结构(100)的外侧，所述内衬(200)的一端与所述腔体(400)电连接，所述内衬(200)的另一端与所述接口件(120)电连接；

所述屏蔽件(160)的第一端连接至所述接口件(120)，所述屏蔽件(160)的第二端连接至所述基座(110)的内壁；所述屏蔽件(160)的第一端的轴线与所述接口件(120)的轴线不重合，且所述屏蔽件(160)的第一端的轴线向远离所述悬臂(500)的方向偏移；

所述射频馈入件(150)穿设于所述屏蔽件(160)内，且沿所述第一方向穿过所述接口件(120)后与所述承载件(140)连接，用于向所述承载件(140)馈入射频功率。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述射频馈入件(150)的馈入端的轴线与所述屏蔽件(160)的第一端的轴线不重合，且所述射频馈入件(150)的馈入端的轴线向靠近所述悬臂(500)的方向偏移。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述射频馈入件(150)的馈入端的轴线位于所述屏蔽件(160)的第一端的轴线与所述接口件(120)的轴线之间。

4.根据权利要求2或3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极结构(100)还包括第二绝缘件(170)，所述接口件(120)设有通孔(121)，所述第二绝缘件(170)设置于所述通孔(121)中，所述射频馈入件(150)穿过所述第二绝缘件(170)；

所述屏蔽件(160)的第一端连接至所述通孔(121)处，且所述屏蔽件(160)的第一端的轴线与所述第二绝缘件(170)的轴线共线。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二绝缘件(170)包括相互适配的第一子绝缘件(171)和第二子绝缘件(172)；

所述第一子绝缘件(171)位于靠近所述悬臂(500)的一侧，所述第二子绝缘件(172)位于远离所述悬臂(500)的一侧；

所述射频馈入件(150)与所述接口件(120)的所述第一子绝缘件(171)所在侧之间的电容，大于所述接口件(120)的所述第二子绝缘件(172)所在侧之间的电容。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，在垂直于所述第二绝缘件(170)的轴线的平面上，所述第一子绝缘件(171)的投影面积小于所述第二子绝缘件(172)的投影面积。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一子绝缘件(171)的相对介电常数大于或等于所述第二子绝缘件(172)的相对介电常数。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一子绝缘件(171)的材质为陶瓷；

所述第二子绝缘件(172)的材质为树脂。

9.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，在垂直于所述第二绝缘件(170)的轴线的平面上，所述第二绝缘件(170)的投影面积小于所述通孔(121)的投影面积；

所述第二绝缘件(170)设置于所述通孔(121)的靠近所述悬臂(500)的一侧。

10.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一子绝缘件(171)与所述第二子绝缘件(172)的宽度差的范围为5mm～50mm。