[发明专利]薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置在审
| 申请号： | 202211348061.8 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN116072735A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 崔圣主;徐廷锡;高永贤;朴在润;任曙延;郑进元 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/33;G09F9/35 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 包括 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
有源层；以及
与所述有源层的一部分至少部分地交叠的栅极，
其中所述有源层包括：
沟道部；
与所述沟道部的一侧接触的第一连接部；以及
与所述沟道部的另一侧接触的第二连接部，
其中所述沟道部包括第一区和第二区，所述第一区和所述第二区的每一个从所述第一连接部延伸至所述第二连接部，
其中所述薄膜晶体管还包括：与所述沟道部交叠的第一导电材料层；以及与所述沟道部交叠的第一间隔件，
其中所述沟道部设置在所述第一导电材料层和所述栅极之间，
所述第一导电材料层连接至所述第一连接部。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一间隔件不与所述第一区交叠，并且所述第一间隔件与所述第二区交叠。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部还包括与所述第一区分隔开的第三区，其中所述第二区插置在所述第一区和所述第三区之间，
其中所述第三区从至少所述第一连接部延伸至所述第二连接部。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部还包括与所述第二区分隔开的第四区，其中所述第一区插置在所述第二区和所述第四区之间，
其中所述第四区从至少所述第一连接部延伸至所述第二连接部。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述第一导电材料层与所述第一区交叠。
6.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部还包括第三区，所述第三区与所述第一区分隔开并且不与所述第一间隔件交叠。
7.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述第一间隔件设置在所述沟道部和所述第一导电材料层之间。
8.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述第一间隔件和所述第一导电材料层设置在相同层上。
9.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，还包括第二间隔件，所述第二间隔件与所述第一间隔件分隔开并与所述沟道部交叠。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部还包括与所述第二间隔件交叠的第四区。
11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述第一区与在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间的间隙空间交叠。
12.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述第一间隔件和所述第二间隔件设置在所述沟道部和所述第一导电材料层之间。
13.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述第一导电材料层、所述第一间隔件和所述第二间隔件设置在相同层上，
所述第一导电材料层设置在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间。
14.一种薄膜晶体管，包括：
有源层；以及
与所述有源层的一部分至少部分地交叠的栅极，
其中所述有源层包括：
沟道部；
与所述沟道部的一侧接触的第一连接部；以及
与所述沟道部的另一侧接触的第二连接部，
其中所述沟道部包括第一区和第二区，所述第一区和所述第二区的每一个从所述第一连接部延伸至所述第二连接部，
其中所述薄膜晶体管还包括：
与所述沟道部交叠的第一导电材料层，其中所述沟道部设置在所述第一导电材料层和所述栅极之间，所述第一导电材料层连接至所述第一连接部；以及
第二导电材料层，所述第二导电材料层与所述第一导电材料层分隔开并且与所述沟道部交叠，其中所述沟道部设置在所述第二导电材料层和所述栅极之间，所述第二导电材料层连接至所述第一连接部。
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