[发明专利]一种确定高频信号注入对电机电磁场影响的方法及系统在审

专利信息
申请号: 202211350446.8 申请日: 2022-10-31
公开(公告)号: CN115630518A 公开(公告)日: 2023-01-20
发明(设计)人: 曾学辉;周战波 申请(专利权)人: 佛山市尼博微电子有限公司
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F17/11;G06F111/10
代理公司: 北京工信联合知识产权代理有限公司 11266 代理人: 夏德政
地址: 528225 广东省佛山市南海区狮*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 确定 高频 信号 注入 电机 电磁场 影响 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种确定高频信号注入对电机电磁场影响的方法,其特征在于,所述方法包括:

基于影响目标电机的气隙磁场谐波的影响参数,建立与目标电机相关联的三相正弦交流电激励下的磁动势空间分布模型;

基于麦克斯韦空间电磁场分析确定目标电机的气隙磁场分布,基于所述确定的目标电机的气隙磁场分布,建立麦克斯韦磁场解析模型;

对所述磁动势空间分布模型和麦克斯韦磁场解析模型进行融合,并在融合的过程中结合齿槽效应和磁饱和效应,以建立目标电机的气隙磁场分布模型;

利用样本数据对气隙磁场分布模型的输出结果进行验证,若验证过程中,结果的准确率达到阈值以上完成验证,建立高频信号的谐波幅频特性与目标电机的等效气隙磁阻的映射关系;

促使所述气隙磁场分布模型基于所述映射关系进行模拟运行,并在模拟运行的过程中,注入所述预设频段的高频信号,以输出目标电机在注入预设频段的高频信号后,气隙磁场谐波的模拟信号;

根据所述模拟信号,确定高频信号注入对目标电机电磁场的影响。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法,还包括:根据高频信号注入对目标电机电磁场的影响,以生成注入高频信号的优选策略,通过优选策略确定适合注入目标电机的高频信号。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述影响参数,包括如下中的至少一种:绕组开槽参数,短距参数和气隙磁场分布系数。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述齿槽效应为目标电机的等效气隙磁阻因转子齿发生变化的规律。

5.一种确定高频信号注入对电机电磁场影响的系统,其特征在于,所述系统包括:

第一模型搭建单元,基于影响目标电机的气隙磁场谐波的影响参数,建立与目标电机相关联的三相正弦交流电激励下的磁动势空间分布模型;基于麦克斯韦空间电磁场分析确定目标电机的气隙磁场分布,基于所述确定的目标电机的气隙磁场分布,建立麦克斯韦磁场解析模型;

第二模型搭建单元,对所述磁动势空间分布模型和麦克斯韦磁场解析模型进行融合,并在融合的过程中结合齿槽效应和磁饱和效应,以建立目标电机的气隙磁场分布模型;

第三计算单元,利用样本数据对气隙磁场分布模型的输出结果进行验证,若验证过程中,结果的准确率达到阈值以上完成验证,建立高频信号的谐波幅频特性与目标电机的等效气隙磁阻的映射关系;促使所述气隙磁场分布模型基于所述映射关系进行模拟运行,并在模拟运行的过程中,注入所述预设频段的高频信号,以输出目标电机在注入预设频段的高频信号后,气隙磁场谐波的模拟信号;根据所述模拟信号,确定高频信号注入对目标电机电磁场的影响。

6.根据权利要求5所述的系统,其特征在于,所述第三计算单元还用于:根据高频信号注入对目标电机电磁场的影响,以生成注入高频信号的优选策略,通过优选策略确定适合注入目标电机的高频信号。

7.根据权利要求5所述的系统,其特征在于,所述影响参数,包括如下中的至少一种:绕组开槽参数,短距参数和气隙磁场分布系数。

8.根据权利要求5所述的系统,其特征在于,所述齿槽效应为目标电机的等效气隙磁阻因转子齿发生变化的规律。

9.一种计算机设备,其特征在于,包括:

一个或多个处理器;

处理器,用于执行一个或多个程序;

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时,实现如权利要求1-4中任一所述的方法。

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,其上存有计算机程序,所述计算机程序被执行时,实现如权利要求1-4中任一所述的方法。

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