[发明专利]阻抗测试电路、装置和方法在审
申请号: | 202211351085.9 | 申请日: | 2022-10-31 |
公开(公告)号: | CN115547217A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 王成;单计划;雷振华;黄正峰;刘明辉;郭知广;陈建军 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 郑哲琦;张楠 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻抗 测试 电路 装置 方法 | ||
本发明提供一种阻抗测试电路、装置和方法。所述阻抗测试电路包括:阻抗采样电阻,所述阻抗采样电阻的第一端连接第一节点,所述第一节点连接第一参考电位;电流放大模块,所述电流放大模块的输入端连接所述阻抗采样电阻的第二端;电压放大模块,所述电压放大模块的输入端连接所述电流放大模块的输出端,所述电压放大模块的输出端连接第二节点;其中,待测阻抗连接在所述第一节点与所述第二节点之间,且与阻抗采样电阻、电流放大模块和电压放大模块所在的支路并联。本发明通过电流放大模块和电压放大模块的共同作用,能够灵敏地测试出待测阻抗的阻抗是否在预设范围,实现对Panel是否存在DGS缺陷的有效快速检测。
技术领域
本发明涉及显示面板测试技术领域,尤其涉及一种阻抗测试电路、装置和方法。
背景技术
IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)铟镓锌氧化物用于薄膜晶体管技术中的沟道层材料。IGZO技术是指在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)有源层之上,镀上一层金属氧化物,是基于TFT驱动的改进技术。其特点是高迁移率,约为10cm2/vs,可提高TFT对像素电极的充放电速率,提高像素的响应速度,实现更快的刷新率(>240Hz);同时更快的响应速度也大大的提高了像素的行扫描速率,可实现超高分辨率;同时,可缩小晶体管尺寸,提高像素开口率,提高亮度,降低功耗。IGZO在低温条件下制备非晶结构,使得大尺寸均一性好,同时非晶态及高透光性也为其在柔性显示及透明显示方面提供了基础。
但是,采用IGZO技术制作的TFT Oxide(氧化物薄膜晶体管)容易出现DGS(DataGate Short,交叉线不良)缺陷。DGS为TFT显示产品点灯测试时出现的交叉线不良,多发生在栅极层和源、漏极层交叠的区域,其产生机理为产品慢溢物增多或在电场、高温、水汽等条件作用下的Cu异物生长。而且,DGS由于Cu生长而具有进行性,因此,在出货前对存在DGS的显示面板进行拦截就十分关键。
因此,需要一种能够检测显示面板的DGS缺陷的方法。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种阻抗测试电路、装置和方法,以通过检测显示面板两端的电压来判断显示面板是否存在DGS缺陷。
本发明提供一种阻抗测试电路,阻抗测试电路包括:阻抗采样电阻,阻抗采样电阻的第一端连接第一节点,第一节点连接第一参考电位;电流放大模块,电流放大模块的输入端连接阻抗采样电阻的第二端;电压放大模块,电压放大模块的输入端连接电流放大模块的输出端,电压放大模块的输出端连接第二节点;其中,待测阻抗连接在第一节点与第二节点之间,且与阻抗采样电阻、电流放大模块和电压放大模块所在的支路并联。
在一实施例中,电流放大模块包括:运算放大器、电流采样电阻和反馈电阻;其中,运算放大器的正输入端连接阻抗采样电阻的第二端以及电流采样电阻的第一端,电流采样电阻的第二端连接第二参考电位,运算放大器的负输入端连接反馈电阻的第一端,反馈电阻的第二端连接运算放大器的输出端。
在一实施例中,电压放大模块包括:高压发生器,高压发生器包括:高压变压器、二极管、保护电阻、电容器、电流表和避雷器;其中,高压变压器的次级线圈的第一端与二极管的负极共同连接电流放大模块的输出端,高压变压器的次级线圈的第二端连接电容器的第一端以及避雷器的底端,二极管的正极连接保护电阻的第一端,保护电阻的第二端连接电容器的第二端以及避雷器的顶端;其中,电流表连接在保护电阻与避雷器的顶端之间。
在一实施例中,还包括:电压检测装置,用于检测第一节点与第二节点之间的电压差值;控制器,控制器用于根据第一节点与第二节点之间的电压差值来判断待测阻抗是否满足预设要求。
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