[发明专利]确定逆变器的半导体结构元件的损耗功率的方法和装置

权利要求书

1.一种用于确定逆变器(40)的半导体结构元件(42)的损耗功率(P_T,HS, P_T,LS, P_D,HS,P_D,LS)的方法，其中，对于所述逆变器(40)的每个半桥而言：

-接收或检测当前的相电流(I_Ph, i_U, i_V, i_W)，

-由所述逆变器(40)的调节装置(41)接收用于操控所述半桥的可控制的半导体结构元件(42)的当前的开关信号和/或开关时间(t_U, t_V, t_W)，

-在考虑所述相电流(I_Ph, i_U, i_V, i_W)的方向的情形下由所述相电流(I_Ph, i_U, i_V,i_W)、相应的占空比和相应的电流-电压特性曲线(10)出发确定所述半桥的半导体结构元件(42)的正向损耗功率，

-在考虑所述相电流(I_Ph, i_U, i_V, i_W)的方向的情形下由接通能量(E_on)、断开能量和反向恢复能量和接通过程的数量和断开过程的数量出发确定所述半导体结构元件(42)的开关损耗功率；并且

其中，由所确定的正向损耗功率和确定的所开关损耗功率确定和提供所述半桥的半导体结构元件(42)的总损耗功率(P_T,HS, P_T,LS, P_D,HS, P_D,LS)，并且其中，所述损耗功率的确定以所述逆变器(40)的调节装置(41)的调节节拍进行。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分别针对每个半导体结构元件(42)确定相应的占空比。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述电流-电压特性曲线(10)取决于温度。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，为了确定相应的占空比和/或接通过程的数量和/或断开过程的数量，识别且评估在所述开关信号(30)中的信号边沿(31,32)。

5. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，由特征曲线族出发确定所述接通能量(E_on)和/或所述断开能量和/或所述反向恢复能量，在所述特征曲线族中相应的值取决于相电流(I_Ph, i_U, i_V, i_W)和中间电路电压(U_DC)被存储。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述特征曲线族(11)取决于温度。

7. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，将所确定的总损耗功率(P_T,HS,P_T,LS, P_D,HS, P_D,LS)供应给温度模型(44)，其中，由所述温度模型(44)出发估计和提供对于所述半导体结构元件(42)中的每个而言的温度(T_T,HS, T_D,HS, T_T,LS, T_D,HS)。

8. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在检测所述相电流(I_Ph, i_U,i_V, i_W)时检测时刻与调节节拍同步。