[发明专利]曝光套刻精度的控制方法、控制装置及套刻系统

权利要求书

1.一种曝光套刻精度的控制方法，其特征在于，包括：

获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比；

根据所述当前批次的相邻前一批次的所述曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及所述相邻前一层的曝光套刻精度量测值与所述权重比的乘积，计算所述当前批次的目标层的目标补偿值；

根据所述当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿；

其中，所述当前批次中曝光对象的目标层的权重比包括异常层的权重比R_N：

R_N=（5QC_A1+6QC_N1-6QC_A1-5QC_N1）/6QC_A2；

上式中，5QC_A1为所述当前批次中异常层的曝光套刻精度补偿值，5QC_N1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度补偿值，6QC_N1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度量测值，6QC_A1为所述当前批次中异常层的曝光套刻精度量测值，6QC_A2为所述当前批次中异常层的相邻前一层的曝光套刻精度量测值；以对所述异常层的偏差进行补偿，使得当前批次的目标层与相邻前一层的偏差减小到标准偏差范围之内。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述异常层的权重比R_N的获取方法还包括如下公式：

5QC_A1’=5QC_A1-6QC_A1=5QC_N1-6QC_N1+R_N*6QC_A2

上式中，5QC_A1’为异常层更佳的曝光套刻精度补偿值。

3.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述异常层的曝光套刻精度量测值大于或等于第一预设标准阈值；

正常层的曝光套刻精度量测值小于或等于第二预设标准阈值；

其中，所述第一预设标准阈值大于所述第二预设标准阈值。

4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述曝光套刻精度补偿值与所述曝光套刻精度量测值均以十项补值形式呈现。

5.一种曝光套刻精度的控制装置，其特征在于，包括：

权重比获取模块，用于获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比；

计算模块，用于根据所述当前批次的相邻前一批次的所述曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及所述相邻前一层的曝光套刻精度量测值与所述权重比的乘积，计算所述当前批次的目标层的目标补偿值；

补偿模块，用于根据所述当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿；

其中，所述当前批次中曝光对象的目标层的权重比包括异常层的权重比R_N：

R_N=（5QC_A1+6QC_N1-6QC_A1-5QC_N1）/6QC_A2；

上式中，5QC_A1为所述当前批次中异常层的曝光套刻精度补偿值，5QC_N1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度补偿值，6QC_N1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度量测值，6QC_A1为所述当前批次中异常层的曝光套刻精度量测值，6QC_A2为所述当前批次中异常层的相邻前一层的曝光套刻精度量测值；以对所述异常层的偏差进行补偿，使得当前批次的目标层与相邻前一层的偏差减小到标准偏差范围之内。

6.根据权利要求5所述的控制装置，其特征在于，所述权重比获取模块还用于以如下公式获取异常层的权重比R_N：

5QC_A1’=5QC_A1-6QC_A1=5QC_N1-6QC_N1+R_N*6QC_A2

上式中，5QC_A1’为异常层更佳的曝光套刻精度补偿值。

7.根据权利要求6所述的控制装置，其特征在于，所述异常层的曝光套刻精度量测值大于或等于第一预设标准阈值；

正常层的曝光套刻精度量测值小于或等于第二预设标准阈值；

其中，所述第一预设标准阈值大于所述第二预设标准阈值。