[发明专利]层状结构

权利要求书

1.一种层状结构(10)，包括：

·基板(12)，具有第一变形；

·一个或多个器件层(14)，形成器件并具有第二变形；

·变形控制层(16)，相对于所述基板(12)是赝晶的，所述变形控制层(16)具有第三变形；其中，变形控制层(16)被选择以使得第一变形、第二变形和第三变形之和与目标变形水平相匹配。

2.如权利要求1所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)位于所述基板(12)和所述一个或多个器件层(14)之间。

3.如权利要求1或权利要求2所述的层状结构(10)，其中所述基板(12)包括Ge、SiGe、SiGeSn、Si上Ge、Si上SiGe或Si上SiGeSn，并且其中所述第一变形是在其他层生长的所述基板(12)的表面处测量的。

4.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)包括包含InGaP、AlInP、InGaAs、GaAsSb、GaAs、AlGaAs、GaAsP、AlGaAsP、AlGaAsSb的组中的任一个。

5.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)包括单层。

6.如权利要求1至5中任一项所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)包括多个层；并且其中所述变形控制层(16)在所述层状结构(10)内的离散位置处生长。

7.如权利要求6所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)中的一个或多个位于器件层(14)之间。

8.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)或每个变形控制层(16)包括渐变的组成，所述渐变的组成在其靠近所述基板(12)的表面处具有第一组成，并且在其远离所述基板(12)的表面处具有第二组成。

9.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述目标变形水平是非零的。

10.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述目标变形水平是一个范围。

11.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)的晶格参数大于所述基板(12)的晶格参数，导致净压缩变形。

12.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)的晶格参数小于所述基板(12)的晶格参数，导致净拉伸变形。

13.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述器件层(14)包括具有相反作用的变形的多个子层，所述相反作用的变形总计为第二变形。

14.一种制作层状结构(10)的方法，包括以下步骤：

·在基板(12)上生长赝晶的变形控制层(16)，所述变形控制层(16)具有第三变形并且所述基板(12)具有第一变形；

·在所述变形控制层(16)上生长一个或多个器件层(14)以形成器件，所述层具有合计的第二变形；

其中所述变形控制层(16)被选择以使得第一变形、第二变形和第三变形之和与目标变形水平相匹配。

15.一种制作层状结构(10)的方法，包括以下步骤：

·在基板(12)上生长一个或多个器件层(14)，所述基板(12)具有第一变形并且所述层具有合计的第二变形；

·在所述器件层(14)上生长赝晶的变形控制层(16)，所述变形控制层(16)具有第三变形；

其中所述变形控制层(16)被选择以使得第一变形、第二变形和第三变形之和与目标变形水平相匹配。