[发明专利]具有高线性度跨导的功率混频器、发射机和射频收发机有效
| 申请号： | 202211359590.8 | 申请日： | 2022-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN115412028B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈俊杰;胡思全;吴瑞砾 | 申请（专利权）人： | 杭州地芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/00 | 分类号： | H03D7/00;H04B1/04 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 童剑雄 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市余杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 线性 度跨导 功率 混频器 发射机 射频 收发 | ||
1.一种具有高线性度跨导的功率混频器，其包括功率混频器和如下电路结构：
混频器开关电路，所述混频器开关电路的输出端直接连接所述功率混频器的输入端；
跨导放大器，所述跨导放大器的输入端连接到所述混频器开关电路的输入端；
其中，基于所述跨导放大器接收到的来自所述混频器开关电路的输入端的电压，所述混频器开关电路的输出端向所述功率混频器提供电流；
所述跨导放大器的输出端连接到所述混频器开关电路的控制端，并且其中，所述混频器开关电路的输出端具体配置为晶体管漏极，所述混频器开关电路的输入端具体配置为晶体管源极，所述混频器开关电路的控制端具体配置为晶体管栅极，
其中，所述跨导放大器的基准电压输入端通过第一电阻接收基准电压，所述跨导放大器的输入端通过并联布置的电容和第二电阻连接到所述混频器开关电路的输入端，并且所述混频器开关电路的输入端通过第三电阻接收输入的模拟基带信号，并且其中，所述具有高线性度跨导的功率混频器用于发射机的模拟基带部分，所述发射机是零中频发射机。
2.根据权利要求1所述的具有高线性度跨导的功率混频器，其中，当所述功率混频器还包括另一输入端时，设置与所述电路结构呈镜像布置的另一电路结构。
3.一种发射机，其中，所述发射机包括两个根据权利要求1所述的具有高线性度跨导的功率混频器，其中，两个所述具有高线性度跨导的功率混频器中的功率混频器的输出端共同连接到所述发射机内的下一级负载。
4.一种发射机，其中，所述发射机包括两个根据权利要求2所述的具有高线性度跨导的功率混频器，其中，两个所述具有高线性度跨导的功率混频器中的功率混频器的各自两个信号输出端共同连接到所述发射机内的下一级负载。
5.一种射频收发机，其包括根据权利要求3或4所述的发射机。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州地芯科技有限公司，未经杭州地芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211359590.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
