[发明专利]一种半导体材料晶片的抛光方法

权利要求书

1.一种半导体材料晶片的抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)处理抛光液，首先在进行半导体材料晶片加工前，对选取合适的抛光液，对抛光液进行处理，处理包括调配、检测、过滤和加热等工序，保证对半导体材料晶片的抛光效果；

步骤2)步骤1)处理中的调配和检测包括，将浓缩的抛光液进行稀释搅拌均匀，然后进行抽样检测稀释后抛光液的PH值，检测抛光液的外观，外观保持黄色粘稠液体，还包括抛光液粘度检测和抛光液有害物质检测指标以及抛光液其他检测指标等；

步骤3)步骤1)处理中的过滤和加热包括，将检测合格抛光液利用容器进行加热，在加热时利用搅拌棒进行搅拌直至抛光液加热至30-55度，搅拌均匀后对抛光液进行过滤，过滤掉光液中的沉淀物，留作备用；避免金属物掉在抛光液中，造成抛光液的浪费和失效的问题；

步骤4)将半导体材料晶片夹持住，将该半导体材料晶片通过调节后送至的抛光液中进行浸泡，在浸泡时可根据使用需要，进行缓慢旋转该半导体材料晶片的位置，使得该半导体材料晶片在浸泡时更加的均匀浸泡20-200秒之间，对半导体材料晶片预先的抛光处理，浸泡后先取出放置；

步骤5)将半导体材料晶片夹持住住，然后利用高压水枪对半导体材料晶片进行高压冲洗抛光液，达到对半导体材料晶片进行再次抛光的效果，在抛光时可时保持震动状态，在顶部抛光完成后，将半导体材料晶片翻转进行喷洗抛光另外一面，对半导体材料晶片的多面进行喷洗抛光，提高半导体材料晶片抛光的光洁度；

步骤6)清洗，在抛光后将半导体材料晶片放入超声波容器的内部清洗8-15分钟，最后在氮气气氛中干燥；

步骤7)抛光液的回收，将抛光时的抛光液利用容器进行收集起来，进行再生加工处理，达到有效回收，节约成本、降低污染。

2.根据权利要求1所述的一种半导体材料晶片的抛光方法，其特征在于，所述步骤2)中的检测抛光液的外观，还包括抛光液粘度检测和抛光液有害物质检测指标以及抛光液其他检测指标，在检测时检测抛光液的外观是否黄色粘稠液体，可通过目测来完成，抛光液粘度检测指标一般在500—100cps，抛光液有害物质检测指标包括：菌落总数、大肠菌群、致病菌、重金属、砷等，抛光液其他检测指标包括：粒度分布、固含量、密度、稀释比例、环保性能等。

3.根据权利要求1所述的一种半导体材料晶片的抛光方法，其特征在于，所述抛光液的溶度控制在密度为：1.03-1.05之间，所述抛光液包括金刚石抛光液和氧化硅抛光液。

4.根据权利要求1所述的一种半导体材料晶片的抛光方法，其特征在于，所述抛光液的PH值为4-8之间。