[发明专利]单核Cu(I)配合物晶体材料、制备方法、负载物及装置

权利要求书

1.一种单核Cu(I)配合物晶体材料，其化学式为CuC₁₆H₁₅N₃F₆P，分子结构为[Cu(dmp)(CH₃CN)][PF₆]，dmp为2,9-二甲基-1,10-邻菲咯啉。

2.如权利要求1所述的单核Cu(I)配合物晶体材料，其特征在于，所述晶体材料为三斜晶系，空间群为P-1，且满足：晶胞参数α＝87.33(4)°,β＝106.13(3)°,γ＝117.31(5)°。

3.如权利要求1-2任一所述的单核Cu(I)配合物晶体材料，其特征在于，所述晶体材料为有机配体2,9-二甲基-1,10-邻菲咯啉和一价铜通过配位反应得到。

4.如权利要求3所述的单核Cu(I)配合物晶体材料，其特征在于，所述一价铜至少由如下任一Cu₂O、CuCl、Cu₂SO₄提供。

5.单核Cu(I)配合物晶体材料的制备方法，包括如下步骤：

(1)、准备用于提供Cu⁺的结晶材料；

(2)、所述结晶材料与配体溶于二氯甲烷进行配位反应，获得目标晶体即可。

6.如权利要求5所述的单核Cu(I)配合物晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述结晶材料的制备包括将HPF₆溶液缓慢加入到含有Cu₂O的乙腈溶液中，搅拌均匀过滤，将滤液放置在低温条件下进行结晶即可。

7.如权利要求5所述的单核Cu(I)配合物晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中Cu₂O与HPF₆的摩尔比为：1：(3-4)。

8.如权利要求5所述的单核Cu(I)配合物晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中以Cu₂O计的所述结晶材料与所述配体的摩尔比为1：(1-2)。

9.负载物，包括载体以及附着于载体的如权利要求1-4任一所述的单核Cu(I)配合物晶体材料。

10.装置，包括用于提供负载腔的主体，所述负载腔内容纳如权利要求1-4任一所述的单核Cu(I)配合物晶体材料或如权利要求9所述的负载物。