[发明专利]功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪及测试方法在审

专利信息
申请号: 202211368408.5 申请日: 2023-01-30
公开(公告)号: CN115718243A 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 高志齐;武胜强;李春生;周剑 申请(专利权)人: 常州同惠电子股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R27/02;G01R27/26
代理公司: 常州联正专利代理事务所(普通合伙) 32546 代理人: 张岳
地址: 213000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体器件 电阻 电容 一体化 单机 测试仪 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪,其特征在于:用于实现功率半导体器件的输入电阻、输入电容、输出电容、反向电容在不同直流偏置电压条件下的多通道扫描测试,包括控制电路、LCR测试电路、栅极偏压电路、漏极偏压电路及多通道隔离开关矩阵电路;

控制电路分别与LCR测试电路、栅极偏压电路、漏极偏压电路、多通道隔离开关矩阵电路相连接,多通道隔离开关矩阵电路分别与LCR测试电路、栅极偏压电路、漏极偏压电路、被测功率件相连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪,其特征在于:所述LCR测试电路用于在设定的测试电平、测试频率、偏置电压下实现功率半导体器件输入电阻、输入电容、输出电容、反向电容的参数测试。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪,其特征在于:所述栅极偏压电路用于提供一组宽范围可调的正负直流电源,施加于功率半导体器件的栅极和源极之间,实现对半导体功率器件的通断控制。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪,其特征在于:所述漏极直流电压偏置电路用于提供一组宽范围可调的直流电源,施加于功率半导体器件的漏极和源极之间,作为功率器件的漏极和源极之间的偏置电压。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪,其特征在于:所述多通道隔离开关矩阵电路通过继电器矩阵切换,实现对功率半导体器件不同电阻电容参数的电路切换,同时通过继电器矩阵实现多个半导体功率器件的多通道扫描测试。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪,其特征在于:所述控制电路实现LCR测试电路参数的设置,栅极偏压电路和漏极偏压电路的控制,多通道隔离开关矩阵电路的通道和参数的切换,并完成功率半导体器件参数的测试。

7.一种功率半导体器件电阻电容的测试方法,采用如权利要求1-6任一项所述的功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1:将功率半导体器件接入该一体化单机测试仪的多通道隔离开关矩阵电路;

步骤2:接通多通道隔离开关矩阵电路的其中一个通道;

步骤3:控制交流信号源测试频率及测试电平;

步骤4:控制栅极偏压电路的电源输出,施加到功率半导体器件的栅极和源极之间,控制漏极偏压电路的电源输出,施加到功率半导体器件的漏极和源极之间;

步骤5:等待偏置电压稳定后,控制LCR测试电路的测试参数;

步骤6:测试结果送仪器显示或者根据客户需要通过接口发送到上位机;

步骤7:重复上述步骤1到步骤6直到完成其他设定通道功率半导体器件参数的测试。

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