[发明专利]基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法及装置

权利要求书

1.一种基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法，其特征在于，所述方法包括：

对表面等离子体光刻中到达光刻胶表面的三维场强分布数据进行建模分析，确定点扩展函数；

基于所述点扩展函数对所述光刻胶内形成的二维图形的曝光图形进行分析，确定倏逝波的场强衰减特性和曝光图形质量的对应关系；

基于所述场强衰减特性和曝光图形质量的对应关系，通过对所述光刻胶内倏逝波的场强衰减特性进行建模分析，确定近场光学邻近效应对目标图形的有效作用范围；

将所述目标图形作为所述表面等离子体光刻的输入图像，确定在预设曝光条件下所述目标图形对应的所述光刻胶内目标曝光图形的精确度和目标补偿曝光剂量；

确定所述目标图形上需要进行补偿调制的区域，在所述有效作用范围内基于所述目标补偿曝光剂量对所述近场光学邻近效应进行补偿矫正，得到矫正后的校正图形；

将所述校正图形作为输入图像，并将在所述预设曝光条件下提取所述光刻胶内校正曝光图形的轮廓进行比较，确定所述校正曝光图形的精确度和成本函数曲线数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述点扩展函数对所述光刻胶内形成的二维图形的曝光图形进行分析，确定倏逝波的场强衰减特性和曝光图形质量的对应关系，包括：

建立所述表面等离子体光刻的光刻成像模型和光刻胶成像模型；

基于所述点扩展函数确定曝光剂量和曝光时间的对应关系；

基于所述曝光剂量和曝光时间的对应关系确定所述光刻胶内形成的二维图形的曝光图形；

基于所述光刻成像模型和所述光刻胶成像模型，结合所述二维图形的曝光图形，确定倏逝波的场强衰减特性和曝光图形质量的对应关系。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述目标图形作为所述表面等离子体光刻的输入图像，确定在预设曝光条件下所述目标图形对应的所述光刻胶内目标曝光图形的精确度和目标补偿曝光剂量，包括：

将所述目标图形作为所述表面等离子体光刻的输入图像，并在预设曝光条件下提取所述光刻胶内目标曝光图形的轮廓；

确定所述目标图形和所述目标曝光图形的轮廓之间的误差值，基于所述误差值确定所述目标曝光图形的精确度和目标补偿曝光剂量。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述场强衰减特性和曝光图形质量的对应关系为所述光学邻近效应具有所述场强衰减特性，所述曝光图形质量随着所述场强衰减特性而变化。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述场强衰减特性和曝光图形质量的对应关系，通过对所述光刻胶内倏逝波的场强衰减特性进行建模分析，确定近场光学邻近效应对目标图形的有效作用范围，包括：

基于所述场强衰减特性和曝光图形质量的对应关系，确定近场范围内倏逝波对应的所述场强衰减特性进行定量分析，确定光刻胶内空间频率与近场场强衰减长度的对应关系；

基于所述光刻胶内空间频率与近场场强衰减长度的对应关系，确定所述近场光学邻近效应对目标图形的有效作用范围。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述目标图形上需要进行补偿调制的区域，在所述有效作用范围内基于所述目标补偿曝光剂量对所述近场光学邻近效应进行补偿矫正，得到矫正后的校正图形，包括：

通过点-线-面的方式确定所述目标图形上需要进行补偿调制的区域，在所述有效作用范围内采用梯度下降算法对所述近场光学邻近效应进行补偿矫正，得到矫正后的所述校正图形。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述曝光剂量和曝光时间的对应关系，包括：

其中，所述psf表示所述点扩展函数；所述N_exp表示总像素数，所述B_n(x_i,y_j)表示所述目标图形的二位值像素化矩阵；所述I_psf(x-x_i,y-y_j)表示所述光刻胶表面的光学场强分布；所述t_n表示曝光时间，所述D_arb(x,y)表示所述曝光剂量。