[发明专利]一种GaN功放的供电装置和通信设备

说明书

本公开涉及功放技术领域，提供了一种GaN功放的供电装置和通信设备，GaN功放的供电装置包括单路电源、正负压转换模块、漏极开关控制模块、漏极开关、降压模块、射频信号开关控制模块和射频信号开关，正负压转换模块输入端、漏极开关输入端和降压模块输入端均与单路电源连接，漏极开关输出端与射频信号开关控制模块输入端以及GaN功放漏极连接，漏极开关控制端与漏极开关控制模块输出端连接，射频信号开关输出端与GaN功放栅极连接，射频信号开关控制端与射频信号开关控制模块输出端连接。本公开技术方案极大程度地减少了单板电源复杂性，减轻了PCB布局压力，降低了整板成本，为GaN功放的上电提供了安全保障。

技术领域

本公开涉及功放技术领域，尤其涉及一种GaN功放的供电装置和通信设备。

背景技术

在射频领域常用的功率放大器(简称功放)主要是横向扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateraldouble Diffusedmetal Oxidesemiconduct or，LDMOS)，该LDMOS基于Si材料，此类功放技术已相对成熟，效率和频段的提升相对较难。而GaN这种新的材料正好解决了此问题。GaN为第三代半导体材料，其频率、效率可以做到更高。这得益于GaN的宽带半导体特性，高饱和电子迁移率以及更高的击穿电压。同时GaN材料还具备很高的热传导特性，这使得GaN功放能够承受更高的温度，具有更高的功率容量。

目前，GaN功放的供电时序控制是采用多路电源分别提供电压，在单板上完成时序控制，或是采用一路高电压电源(电压高于GaN功放的漏极上电电压)，由多个电源转换芯片转换成所需电压，再在单板上完成时序控制。然而，前者需要多路电源，后者需要增加电源转换芯片，均增大了PCB布局压力，增加了整板成本。而且，现有技术的GaN功放的供电时序控制仅包含栅压和漏压的时序控制，在GaN功放的上下电过程中容易使GaN功放工作在漏压过低、栅压不变，而依旧有射频信号输入的环境，从而使GaN功放的P-1参数降低，导致GaN功放烧毁。因此，如何在采用单路电源，减少电源转换芯片的条件下，提高GaN功放上下电的安全性，是现有技术有待解决的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种GaN功放的供电装置和通信设备，在采用单路电源，减少电源转换芯片的条件下，实现GaN功放的射频小信号电压、栅极电压(栅压)、漏极电压(漏压)的完整时序控制，极大程度地减少了单板电源复杂性，减轻了PCB布局压力，降低了整板成本，为GaN功放的上下电提供了安全保障。

本公开实施例提供了一种GaN功放的供电装置，包括单路电源、正负压转换模块、漏极开关控制模块、漏极开关、降压模块、射频信号开关控制模块和射频信号开关，所述正负压转换模块的输入端、所述漏极开关的输入端以及所述降压模块的输入端均与所述单路电源连接，所述正负压转换模块的输出端同时与所述漏极开关控制模块的输入端以及GaN功放的栅极连接，所述漏极开关的输出端同时与所述射频信号开关控制模块的输入端以及所述GaN功放的漏极连接，所述漏极开关的控制端与所述漏极开关控制模块的输出端连接，所述降压模块的第一输出端与所述射频信号开关的输入端连接，所述射频信号开关的输出端与所述GaN功放的栅极连接，所述射频信号开关的控制端与所述射频信号开关控制模块的输出端连接。

本公开实施例提供的GaN功放的供电装置中，所述漏极开关控制模块被配置为在所述GaN功放的栅极电压小于第一阈值电压时，控制所述漏极开关导通，以在所述单路电源向所述GaN功放的栅极提供栅极上电电压后，向所述GaN功放的漏极提供漏极上电电压；

所述射频信号开关控制模块被配置为在所述GaN功放的漏极电压大于第二阈值电压时，控制所述射频信号开关导通，以在所述单路电源向所述GaN功放的漏极提供漏极上电电压后，向所述GaN功放的栅极提供射频信号上电电压。

本公开实施例提供的GaN功放的供电装置中，所述降压模块的第二输出端与所述漏极开关控制模块的供电端连接，并通过所述第二输出端为所述漏极开关控制模块供电；