[发明专利]一种芯片双面互连的堆叠封装方法有效

专利信息
申请号: 202211375445.9 申请日: 2022-11-04
公开(公告)号: CN115424980B 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 马磊 申请(专利权)人: 成都复锦功率半导体技术发展有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 张巨箭
地址: 610212 四川省成都市中国(四川)*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 双面 互连 堆叠 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片双面互连的堆叠封装方法,其特征在于,所述方法包括:

封装多个依次连接的堆叠单元,其中,所述堆叠单元包括上层芯片(1)和下层芯片(2),所述上层芯片(1)的背面通过第一布线层(3)与所述下层芯片(2)正面连接,某个堆叠单元中上层芯片(1)的正面通过第二布线层(4)与下一个相邻的堆叠单元中下层芯片(2)的背面连接,所述第二布线层(4)设置在相邻两个堆叠单元的间隙中,所述第一布线层(3)设置在上层芯片(1)和下层芯片(2)的间隙中;

将所述下层芯片(2)设置在第一塑封体(5)中,将所述上层芯片(1)设置在第二塑封体(6)中,通过首个所述堆叠单元的下层芯片(2)以及最后一个所述堆叠单元的上层芯片(1)引出通孔金属体(7)。

2.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连的堆叠封装方法,其特征在于,所述下层芯片(2)的背面连接有第三塑封体(10),所述第三塑封体(10)与所述第一塑封体(5)连接,所述第二布线层(4)从所述第三塑封体(10)中延伸连接至所述下层芯片(2)的背面。

3.根据权利要求2所述的一种芯片双面互连的堆叠封装方法,其特征在于,所述上层芯片(1)通过第三布线层(11)与所述第二布线层(4)连接。

4.根据权利要求3所述的一种芯片双面互连的堆叠封装方法,其特征在于,在所述第二塑封体(6)上连接有第四塑封体(8),在所述第四塑封体(8)上设置介质层(15),所述介质层(15)中设有第四布线层(16),所述第四布线层(16)的下端与所述通孔金属体(7)连接,所述第四布线层(16)的上端连接有设置在第四塑封体(8)上的焊盘(9)。

5.根据权利要求4所述的一种芯片双面互连的堆叠封装方法,其特征在于,封装两个所述堆叠单元,包括以下步骤:

S1、在第一载板(13)上同时贴装正面朝上的两颗下层芯片(2)并使用第一塑封体(5)塑封;

S2、对所述两颗下层芯片(2)的正面分别开孔露出焊盘;

S3、通过S2中开孔在所述两颗下层芯片(2)上制作第一布线层(3),同时在所述第一布线层(3)上焊接两颗上层芯片(1);

S4、使用第二塑封体(6)对两颗上层芯片(1)进行第二次塑封并移除第一载板(13);

S5、将S4中塑封好的芯片封装正面贴于第二载板(14)上并在封装中间位置进行贯穿开孔;

S6、在S5中的开孔处制作第二布线层(4),并将第二布线层(4)连接到下层芯片(2)的背面;

S7、对S6中的下层芯片(2)使用第三塑封体(10)进行第三次塑封,并去除第二载板(14);

S8、去除第二载板后,对上层芯片(1)的正面开孔,露出其焊盘,并通过第三布线层(11)将开孔的上层芯片(1)与所述第二布线层(4)连接,实现上层芯片(1)的正面与下层芯片(2)的背面互连;

S9、使用第四塑封体(8)在第二塑封体(6)的正面进行第四次塑封;

S10、在所述第一布线层(3)以及上层芯片(1)的焊盘上开孔,在开孔中制作通孔金属体(7);

S11、在所述通孔金属体(7)上方制作介质层(15),并对介质层(15)进行开孔,在所述介质层(15)的开孔处制作第四布线层(16),并在介质层(15)上方制作与所述第四布线层(16)连接的焊盘(9)。

6.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连的堆叠封装方法,其特征在于,所述上层芯片(1)与所述第一布线层(3)通过焊接层(12)连接。

7.根据权利要求6所述的一种芯片双面互连的堆叠封装方法,其特征在于,所述焊接层(12)的焊接方法包括银胶、共晶以及涂胶。

8.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连的堆叠封装方法,其特征在于,所述上层芯片(1)和下层芯片(2)均包括一个芯片。

9.根据权利要求1所述的一种芯片双面互连的堆叠封装方法,其特征在于,第二布线层(4)使用导电铜柱。

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