[发明专利]层叠结构、磁阻效应元件、磁头、传感器、高频滤波器以及振荡器

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其特征在于：

具备：

第1铁磁性层、

第2铁磁性层、和

配置于所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层之间的非磁性间隔层，

所述非磁性间隔层具有非磁性金属层和被设置于所述非磁性金属层之下的第1中间层以及被设置于所述非磁性金属层之上的第2中间层中的至少一个，并且所述第1中间层以及所述第2中间层中的至少一个与所述非磁性金属层相接触，

所述第1中间层及所述第2中间层包含由下述通式(1)表示的NiAlX合金层，

Ni_γ1Al_γ2X_γ3……(1)

X表示选自Si、Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zr、Nb以及Ta中的1种元素，在γ＝γ3/(γ1+γ2+γ3)的情况下满足0＜γ＜0.5。

2.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于：

在将L设定为选自Mn以及Fe中的1种以上的元素；

将M设定为选自Si、Al、Ga以及Ge中的1种以上的元素；

并将α以及β设定为正值的情况下，

所述铁磁性层包含下述通式(2)所表示的哈斯勒合金，

Co₂L_αM_β(2)。

3.如权利要求1或者2所述的磁阻效应元件，其特征在于：

γ3的值随着从所述铁磁性层沿着其厚度方向离开而减少。

4.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于：

所述非磁性金属层包含选自Ag、Cr、Al、Au以及NiAl中的1种以上的元素。

5.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于：

所述NiAlX合金层中的X是选自Si、Cr、Fe、Co以及Zr中的1种以上的元素。

6.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于：

在通式(1)中，满足0＜γ＜0.3。

7.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于：

在将所述NiAlX合金层的厚度设定为t1时，

满足0.2nm≤t1≤10nm。

8.如权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于：

在以所述通式(2)所表示的哈斯勒合金中，

α以及β满足以下关系式(2-1)、(2-2)、(2-3)：

0.7＜α＜1.6……(2-1)；

0.65＜β＜1.35……(2-2)；

2＜α+β＜2.6……(2-3)。

9.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于：

γ3的值沿着面内方向或者厚度方向变化。

10.一种磁头，其特征在于：

具备权利要求1～9中任一项所述的磁阻效应元件。

11.一种传感器，其特征在于：

具备权利要求1～9中任一项所述的磁阻效应元件。

12.一种高频滤波器，其特征在于：

具备权利要求1～9中任一项所述的磁阻效应元件。

13.一种振荡器，其特征在于：

具备权利要求1～9中任一项所述的磁阻效应元件。