[发明专利]晶圆的处理方法在审
| 申请号： | 202211376752.9 | 申请日： | 2022-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN115579282A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李琳瑜;胡杏;田应超;曹瑞霞 | 申请（专利权）人： | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 周艳;胡春光 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，所述方法包括：
对第一晶圆的边缘进行第一修边处理，在所述第一晶圆的边缘的拐角处形成第一倾斜面；所述第一倾斜面为平面或凹面；
键合所述第一晶圆和第二晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述第二晶圆进行第二修边处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对第二晶圆进行第二修边处理包括：
沿第一表面的边缘对所述第二晶圆进行直角修边处理，在所述边缘的拐角处形成台阶；所述直角修边的深度小于所述第二晶圆的厚度；
对所述第二晶圆的第二表面进行减薄处理得到减薄后的所述第二晶圆，所述减薄处理的深度大于或等于所述第二晶圆的厚度减去所述直角修边的深度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述第二晶圆的边缘进行第三修边处理，在所述第二晶圆的边缘的拐角处形成第二倾斜面；其中，所述第二倾斜面为平面、凸面或凹面。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一倾斜面与所述第二倾斜面之间的平面的宽度小于或等于第一预设值。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二倾斜面的深度小于所述减薄后的所述第二晶圆的厚度。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对具有所述第一倾斜面的第一晶圆沉积抗刻蚀膜；所述抗刻蚀膜至少覆盖所述第一晶圆未被所述第二晶圆遮挡的表面区域。
8.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述第一晶圆与所述第二晶圆进行解键合处理。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述对所述第一晶圆与所述第二晶圆进行解键合处理，包括:
沿所述第一晶圆的第一倾斜面，向所述第一晶圆与所述第二晶圆的键合面之间插入刀片，使所述第一晶圆与所述第二晶圆至少部分分离；
从所述第二晶圆的表面向远离所述第一晶圆的方向施加拉力，使所述第一晶圆与所述第二晶圆分离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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