[发明专利]一种热式-电容式宽量程MEMS风速风向传感器在审

专利信息
申请号: 202211377420.2 申请日: 2022-11-04
公开(公告)号: CN115902289A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 易真翔;谢雨珏;秦明;黄庆安 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01P5/12 分类号: G01P5/12;G01P5/08;G01P13/02
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 秦秋星
地址: 211102 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 量程 mems 风速 风向 传感器
【权利要求书】:

1.一种热式-电容式宽量程MEMS风速风向传感器,其特征在于,其芯片包括热阻元件(1)、悬臂梁(2)、衬底(3)和电容器(4);电容器(4)包括位于悬臂梁(2)底部的上极板(41)和位于衬底(3)的下极板(42);热阻元件(1)、悬臂梁(2)和电容器(4)分别围绕芯片中心对称分布。

2.根据权利要求1所述的一种热式-电容式宽量程MEMS风速风向传感器,其特征在于,所述热阻元件(1)工作在自加热区,在芯片表面形成对称温度分布场的同时检测自身电阻。

3.根据权利要求1所述的一种热式-电容式宽量程MEMS风速风向传感器,其特征在于,所述热阻元件(1)分布于悬臂梁(2)的顶部。

4.根据权利要求1所述的一种热式-电容式宽量程MEMS风速风向传感器,其特征在于,所述悬臂梁(2)有一定程度的翘曲,各个悬臂梁(2)翘曲程度相同,各个电容器(4)具有相同的电容值。

5.权利要求1-4任一所述传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1:在第一硅片上溅射金属并剥离,形成电容器下极板(41);

步骤2:在第二硅片正面淀积、光刻并刻蚀金属或多晶硅形成热阻元件(1);

步骤3:在步骤2的基础上,将第二硅片翻转,在其背面刻蚀出正方形空腔结构;

步骤4:在步骤3的基础上,在空腔结构中溅射金属并剥离,形成电容器上极板(42);

步骤5:在步骤4的基础上,在第二硅片上形成悬臂梁;

步骤6:在步骤5的基础上,将第一、第二硅片按电容器极板相对的方向进行热键合,形成完整的器件结构。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤5中,形成悬臂梁的方法为:对第二硅片进行进一步刻蚀,释放悬臂梁结构,并保留一部分的本征应力,使得悬臂梁有一定程度的翘曲。

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