[发明专利]发光二极管及发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：

半导体叠层，具有台面、相对的下表面和上表面，所述半导体叠层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述台面是指所述第一半导体层的未被所述发光层覆盖的表面，其中，所述第一半导体层在所述台面处具有贯通部，所述贯通部自所述第一半导体层的上表面贯穿至所述第一半导体层的下表面；

第一电极，至少设置在所述贯通部内以电连接所述第一半导体层；

第二电极，电连接所述第二半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极包括第一子层和第二子层，所述第一子层设置在所述贯通部内和所述台面上，所述第二子层设置在所述台面的背侧，所述第一子层和所述第二子层通过所述贯通部电连接。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述贯通部在所述台面处的尺寸大于所述贯通部在所述第一半导体层远离所述第二半导体层的表面处的尺寸。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述贯通部为连续分布或者间断式分布。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述贯通部的开孔形状呈圆形或椭圆形。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述贯通部的面积占所述台面的面积的1％～10％。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述贯通部的截面形状呈梯形，所述贯通部的倾斜角度小于90度。

8.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一半导体层是N型半导体层，所述第二半导体层是P型半导体层，自所述半导体叠层的下表面至所述半导体叠层的上表面方向依序为所述P型半导体层、所述发光层和所述N型半导体层。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层包括第一接触电极和第一金属电极，所述第一接触电极位于所述贯通部内并直接接触所述N型半导体层，所述第一金属电极连接所述第一接触电极，所述第一金属电极位于所述台面上。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层还包括第一填充电极，所述第一填充电极位于所述贯通部内并连接所述第一接触电极，所述第一金属电极连接所述第一填充电极和所述第一接触电极。

11.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述第二电极包括第三子层和第四子层，所述第三子层直接接触所述P型半导体层，所述第四子层连接所述第三子层。

12.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括绝缘层、键合金属层和基板，所述绝缘层覆盖所述半导体叠层的侧壁和下表面，所述绝缘层具有露出所述第三子层的第一开口，所述键合金属层的上表面通过所述第一开口连接所述第三子层，所述基板连接所述键合金属层的下表面，所述第四子层连接所述基板。

13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第三子层包括第二接触电极和第二金属电极，所述第二接触电极直接接触所述P型半导体层，所述第二金属电极连接所述第二接触电极。

14.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述第二子层和所述第一半导体层之间设置有衬底，所述衬底具有露出所述第一子层的第二开口，所述第二子层通过所述第二开口连接所述第一子层。