[发明专利]光酸产生剂、包括其的光致抗蚀剂组合物及使用光酸产生剂形成图案的方法在审

专利信息
申请号: 202211385369.X 申请日: 2022-11-07
公开(公告)号: CN116165842A 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 金旻相;高行德;H.金;郭允铉;金惠兰;李恩庆;A.田 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;C08F220/38;C08F220/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 产生 包括 光致抗蚀剂 组合 使用 形成 图案 方法
【权利要求书】:

1.光酸产生剂,其包括在曝光时产生酸的单体和酸不稳定单体的共聚物,所述酸不稳定单体对于显影溶剂的溶解性通过经由酸的分解而改变,其中所述共聚物由式1表示:

[式1]

其中

x和y的摩尔比为1:1至1:5,并且所述共聚物的数均分子量(Mn)为500g/mol至5,000g/mol,

L为单键或者取代或未取代的C1-C20亚烷基,

A-为磺酸阴离子或羧酸阴离子,

B+为未被取代或被卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的基于锍的阳离子、或者未被取代或被卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的基于碘鎓的阳离子,

R1和R2各自独立地为氢原子、卤素原子、或者取代或未取代的C1-C10烷基,

R3为由式1-1和1-2表示的基团之一:

[式1-1]

*-C(=O)O(L1)nRa

[式1-2]

*-ORb

其中

L1为未被取代或被C1-C5烷基取代的C1-C10亚烷基,

n为0-10的整数,

Ra为取代或未取代的C4-C20叔烷基、取代或未取代的C3-C50脂族环状基团、取代或未取代的C3-C60杂脂族环状基团、取代或未取代的C3-C60杂芳族环状基团、或-OC(=O)ORa1,其中Ra1为C1-C10烷基,

Rb为-Si(Rb1)(Rb2)(Rb3)或-C(Rb4)(Rb5)O(Rb6),其中Rb1、Rb2、Rb3、Rb4、Rb5、和Rb6各自独立地为氢原子、C1-C10烷基、或C6-C20芳基,以及

*为结合位点。

2.如权利要求1所述的光酸产生剂,其中所述共聚物的多分散性指数(Mw/Mn,PDI)为1.0至3.0。

3.如权利要求1所述的光酸产生剂,其中B+包括由式2表示的基于锍的阳离子或由式3表示的基于碘鎓的阳离子:

其中

R4、R5和R6的至少两个彼此结合并且与硫原子一起形成未被取代或被至少一个卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的环,或者R4、R5和R6各自独立地为取代或未取代的C6-C60芳基,以及

R7和R8各自独立地为取代或未取代的C6-C60芳基或者取代或未取代的C6-C60杂芳基。

4.如权利要求1所述的光酸产生剂,其中B+包括未被取代或被至少一个卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的基于三苯基锍的阳离子、未被取代或被至少一个卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的基于噻吨酮的阳离子、或者未被取代或被至少一个卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的基于二苯基碘鎓的阳离子。

5.如权利要求1所述的光酸产生剂,其中B+包括由式3-1至3-15表示的基于锍的阳离子或基于碘鎓的阳离子之一:

其中,在式3-1至3-15中,

X为卤素原子。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211385369.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top