[发明专利]光酸产生剂、包括其的光致抗蚀剂组合物及使用光酸产生剂形成图案的方法在审
申请号: | 202211385369.X | 申请日: | 2022-11-07 |
公开(公告)号: | CN116165842A | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 金旻相;高行德;H.金;郭允铉;金惠兰;李恩庆;A.田 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;C08F220/38;C08F220/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 产生 包括 光致抗蚀剂 组合 使用 形成 图案 方法 | ||
1.光酸产生剂,其包括在曝光时产生酸的单体和酸不稳定单体的共聚物,所述酸不稳定单体对于显影溶剂的溶解性通过经由酸的分解而改变,其中所述共聚物由式1表示:
[式1]
其中
x和y的摩尔比为1:1至1:5,并且所述共聚物的数均分子量(Mn)为500g/mol至5,000g/mol,
L为单键或者取代或未取代的C1-C20亚烷基,
A-为磺酸阴离子或羧酸阴离子,
B+为未被取代或被卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的基于锍的阳离子、或者未被取代或被卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的基于碘鎓的阳离子,
R1和R2各自独立地为氢原子、卤素原子、或者取代或未取代的C1-C10烷基,
R3为由式1-1和1-2表示的基团之一:
[式1-1]
*-C(=O)O(L1)nRa
[式1-2]
*-ORb,
其中
L1为未被取代或被C1-C5烷基取代的C1-C10亚烷基,
n为0-10的整数,
Ra为取代或未取代的C4-C20叔烷基、取代或未取代的C3-C50脂族环状基团、取代或未取代的C3-C60杂脂族环状基团、取代或未取代的C3-C60杂芳族环状基团、或-OC(=O)ORa1,其中Ra1为C1-C10烷基,
Rb为-Si(Rb1)(Rb2)(Rb3)或-C(Rb4)(Rb5)O(Rb6),其中Rb1、Rb2、Rb3、Rb4、Rb5、和Rb6各自独立地为氢原子、C1-C10烷基、或C6-C20芳基,以及
*为结合位点。
2.如权利要求1所述的光酸产生剂,其中所述共聚物的多分散性指数(Mw/Mn,PDI)为1.0至3.0。
3.如权利要求1所述的光酸产生剂,其中B+包括由式2表示的基于锍的阳离子或由式3表示的基于碘鎓的阳离子:
其中
R4、R5和R6的至少两个彼此结合并且与硫原子一起形成未被取代或被至少一个卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的环,或者R4、R5和R6各自独立地为取代或未取代的C6-C60芳基,以及
R7和R8各自独立地为取代或未取代的C6-C60芳基或者取代或未取代的C6-C60杂芳基。
4.如权利要求1所述的光酸产生剂,其中B+包括未被取代或被至少一个卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的基于三苯基锍的阳离子、未被取代或被至少一个卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的基于噻吨酮的阳离子、或者未被取代或被至少一个卤素原子或C1-C20卤代烷基取代的基于二苯基碘鎓的阳离子。
5.如权利要求1所述的光酸产生剂,其中B+包括由式3-1至3-15表示的基于锍的阳离子或基于碘鎓的阳离子之一:
其中,在式3-1至3-15中,
X为卤素原子。
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