[发明专利]具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路及写操作方法

权利要求书

1.一种具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路，所述三维相变存储器具有呈阵列分布的存储单元，每个存储单元的位置为(WLx，BLy)，其中，x为对应存储单元的字线位置，y为对应存储单元的位线位置，所有存储单元被划分为N个存储块，不同的存储块中的每个存储单元的(x+y)值处于不同区间，同一存储块中的每个存储单元的(x+y)值处于同一的区间，其特征在于，所述写电路包括字线供电电路和位线供电电路，其中，

所述字线供电电路的输出电压V_{WL_in}随温度变化的电压变化系数为γ，与存储单元的阈值电压随温度变化的电压变化系数相同，用于向待选存储单元提供字线电压；

所述位线供电电路的输出支路串联有N个分压电阻，从每个分压电阻引出一个输出端以得到N个输出端，第i输出端为从第i个分压电阻Ri引出的输出端且对应的第i输出电压为其中，输出电压V_{BL_ini}随温度变化的电压变化系数为δi且与第i个存储块的位线接收电压随温度变化的电压变化系数的相反数相同，分压电阻的阻值满足第i输出电压为V_{BL_ini}用于向第i个存储块中待选存储单元提供位线电压。

2.如权利要求1所述的具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路，其特征在于，所述字线供电电路包括阈值电压的温度补偿电路和字线电压输出极，所述字线电压输出极包括运放OP1、电压源Vdc1、运放OP2、PMOS管M1、NMOS管M2和电阻R；

所述阈值电压的温度补偿电路的输出电压V_{WL_BG1}具有电压变化系数γ；

所述电压源Vdc1与所述输出电压V_{WL_BH}叠加后输入运放OP1的反相输入端，所述运放OP1的正向输入端连接至PMOS管M1的漏极形成第一端，运放OP1的输出端连接至PMOS管M1的栅极，PMOS管M1的源极用于接入外部正向电压源；

所述运放OP2的反相输入端接入原始字线电压V_WL、正相输入端连接至NMOS管M2的漏极形成第二端，所述运放OP2的输出端连接至NMOS管M2的栅极，NMOS管M2的源极接地；

电阻R的两端分别连接至所述第一端和第二端，从所述第一端引出字线供电电路的输出电压。

3.如权利要求2所述的具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路，其特征在于，所述字线供电电路还包括阵列字线输入极，所述阵列字线输入极包括运放OP3、PMOS管M3和电容C1；

所述运放OP3的反相输入端连接至所述字线电压输出极的第一端，获取电压V_{WL_BG1}，正相输入端与PMOS管M3的漏极相连形成第三端，第三端通过电容C1接地，所述运放OP3的输出端与PMOS管M3的栅极相连，PMOS管M3的源极接入外部电压源，以第三端输出的电压作为字线供电电路的输出电压V_{WL_in}接入选中字线。

4.如权利要求1所述的具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路，其特征在于，所述位线供电电路包括关态电流的温度补偿电路和位线电压输出极，所述位线电压输出极包括电压源Vdc2、运放OP4、运放OP5、PMOS管M4、NMOS管M5和N个分压电阻R1～RN；

所述关态电流的温度补偿电路的输出电压V_{BL_BG}具有电压变化系数δ1；

所述运放OP4的反相输入端接入原始位线电压V_BL、正相输入端连接至PMOS管M4的漏极形成第四端，PMOS管M4的源极用于接入外部负向电压源；

所述电压源Vdc2与输出电压V_{BL_BG}叠加后输入所述运放OP5的反相输入端，OP5的同相输入端连接至NMOS管M5的漏极形成第五端，运放OP5的输出端连接至NMOS管M5的栅极，NMOS管M5的源极接地；

N个分压电阻串联于第四端和第五端之间，且电阻R1至RN从第五端依次连接至第四端，其中，从第五端引出第一输出端，从电阻R(i-1)和Ri之间引出第i输出端。