[发明专利]一种具有二次光电响应的红外光电探测器

权利要求书

1.一种具有二次光电响应的红外光电探测器，其特征在于，包括绝缘衬底(1)、金电极(2)、银电极(3)、n型InSe半导体(4)和p型GaSe半导体(5)；

所述n型InSe半导体(4)和p型GaSe半导体(5)之间接触，所述接触部分形成PN结并位于金电极(2)上方。所述p型GaSe半导体(5)与金电极(2)接触，所述银电极(3)与n型InSe半导体(4)接触，所述金电极(2)加负电压，所述银电极(3)加正电压；

所述p型GaSe半导体(5)和n型InSe半导体(4)的晶体类型为具有二阶非线性的ε类型，且在脉冲光的照射下产生二次谐波，并将小于p型GaSe半导体(5)和n型InSe半导体(4)带隙的红外光光子转化为可以为n型InSe半导体(4)吸收的光子，所述光子为PN结接收并转化为光电流。

2.根据权利要求1所述的具有二次光电响应的红外光电探测器，其特征在于，所述p型GaSe半导体(5)的厚度范围为[50nm，100nm]。

3.根据权利要求1所述的具有二次光电响应的红外光电探测器，其特征在于，所述n型InSe半导体(4)的厚度范围为[50nm，200nm]。

4.根据权利要求1所述的具有二次光电响应的红外光电探测器，其特征在于，所述金电极(2)厚度范围为[25nm,50nm]。

5.根据权利要求1所述的具有二次光电响应的红外光电探测器，其特征在于，所述银电极(3)的厚度范围为[30nm,100nm]。

6.根据权利要求1所述的具有二次光电响应的红外光电探测器，其特征在于，位于金电极(2)上方的p型GaSe半导体(5)和n型InSe半导体(4)之间所形成的所述异质结区域的面积不小于5μm×5μm。

7.根据权利要求1所述的具有二次光电响应的红外光电探测器，其特征在于，所述银电极(3)与金电极(2)之间的距离范围为[1μm,5μm]。

8.根据权利要求1所述的具有二次光电响应的红外光电探测器，其特征在于，所述绝缘衬底(1)为由蓝宝石、二氧化硅、氮化硅或氧化铝制作的绝缘衬底。