[发明专利]一种陶瓷生产低温快烧方法

权利要求书

1.一种陶瓷生产低温快烧方法，其特征在于：它的方法：

步骤一：将各种胚体原料通过球磨机进行研磨成粉末、烘干、制成胚体；按质量分数，所述的胚体包含70-75％的珍珠岩瘠性原料、20-23％的塑形料以及2-10％的助溶剂；最后进行喷釉处理；

步骤二：将制备的胚体缓慢平稳的输送到窑炉中进行烧结成型，其中窑炉包含预热段、氧化段以及烧结段三大部分；经过预热段使胚体缩水；氧化段使胚体收缩；烧结段使胚体软化烧结；

预热段又分为预热前端与预热后端；预热前端由电加热器与旋转风机组成，旋转风机将预热前端内部包空气抽气输送到下端的电加热仓中，达到排除坯体在施釉线上引入的水分和坯体残留的结合水，以及颗粒间结构水；预热后端采用燃烧方式进一步提升预热温度；使坯体中各种有机物开始烧除，碳化物、硫化物开始分解及挥发和脱水反应；坯体中的晶体重组，分子间的结晶水被排除，坯体收缩，气孔率增加，粘土结晶体结构遭到破坏，强度降低；

氧化段采用微波加热方式，利用微波特殊波段与材料耦合产生热量,材料的介质损耗使材料加热到氧化温度；氧化阶段利用坯体表面开始出现的液相，颗粒重新排列紧密并填充间隙，从而使坯体逐渐致密收缩，气孔率增加；

烧结段采用微波加热方式，不同于氧化段微波功率增大，此阶段坯体中的液相大量出现，并填充到珍珠岩骨架中，使坯体气孔率下降，强度增加从而达到瓷化，在此阶段收缩最大。此阶段如果玻璃相产生过多，又会软化，坯体的珍珠岩骨架从而出现高温变形；伴随输送脱离烧结段输送到高火保温冷却区。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷生产低温快烧方法，其特征在于：所述的步骤一中的珍珠岩瘠性原料一般为二氧化硅68-75％、氧化铝9-14％、氧化铁0.5-4％、二氧化钛0.13-0.2％、氧化镁0.4-1％、氧化钙1-2％、氧化钠2.5-5％、氧化钾1.5-4.5％、水3-6％。

3.根据权利要求1所述的一种陶瓷生产低温快烧方法，其特征在于：步骤一中的所述的塑形料一般为0.6-1.5％的白泥、3-4％的高白泥、5-6％的长湘泥、5-6％的6#高铝以及1.6-2.5％的强塑土。

4.根据权利要求1所述的一种陶瓷生产低温快烧方法，其特征在于：步骤一中的所述的助溶剂采用碱金属氧化物，碱金属氧化物由氧化锂6％与氧化钾4％组成。

5.根据权利要求1所述的一种陶瓷生产低温快烧方法，其特征在于：所述的步骤二中预热前端温度500-800摄氏度、预热后端温度900-1000摄氏度；氧化段加热温度1060-1160摄氏度；烧结段温度控制在1160-1200摄氏度。

6.根据权利要求1所述的一种陶瓷生产低温快烧方法，其特征在于：所述的预热前端停留时间4-5分钟，预热后端停留时间5-8分；氧化段加热停留时间15-20分钟；烧结段温停留时间15-20分钟；烧成周期控制在35-75分钟。

7.根据权利要求1所述的一种陶瓷生产低温快烧方法，其特征在于：所述的步骤一中的原料球磨采用湿法球磨，球磨物料要求微细颗粒粒径保持在500-8000目之间，平均粒径为2000目。

8.根据权利要求1所述的一种陶瓷生产低温快烧方法，其特征在于：所述的步骤二中预热前端所采用的风机与预热窑炉之间利用隔热材料进行软连接，减少风机运行对炉内胚体传递高频震动。

9.根据权利要求1所述的一种陶瓷生产低温快烧方法，其特征在于：所述中步骤一中喷釉处理过程中需要对胚体进行模槽包裹，避免喷釉过多渗溢边角和底部。