[发明专利]一种AZO透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种AZO透明导电薄膜，其特征为，包括基片以及在基片上通过磁控溅射依次而得的Na离子阻挡层、Zn层、AZO层、氧阻挡层、减反层；其中，Na离子阻挡层为在基片上溅射硅、氧化钛、氧化锆中的一种而得，氧阻挡层为在AZO层上溅射氧化硅、氮化硅、氧化锆、氧化钛、氧化锌锡中的一种而得，减反层为在氧阻挡层上溅射氧化硅、氟化镁中的一种而得。

2.如权利要求1所述的AZO透明导电薄膜，其中，Na离子阻挡层的膜层厚度10～20nm；Zn层的膜层厚度5～30nm；AZO层的膜层厚度300～500nm；氧阻挡层的膜层厚度30～50nm；减反层的膜层厚度40～150nm。

3.一种AZO透明导电薄膜制备方法，其特征在于，包括步骤：

(1)清洗基片，使其表面无任何脏污；

(2)在基片上磁控溅射硅、氧化钛、氧化锆中的一种得到Na离子阻挡层；

(3)在Na离子阻挡层上磁控溅射Zn层；

(4)在Zn层上磁控溅射AZO层；

(5)在AZO层上磁控溅射氧化硅、氮化硅、氧化锆、氧化钛、氧化锌锡中的一种得到氧阻挡层；

(6)在氧阻挡层上磁控溅射氧化硅、氟化镁中的一种得到减反层。

4.如权利要求3所述的AZO透明导电薄膜制备方法，其中，还包括步骤：

(7)对依次沉积有Na离子阻挡层、Zn层、AZO层、氧阻挡层与减反层的基片进行高温钢化处理。

5.如权利要求3所述的AZO透明导电薄膜制备方法，其中，步骤(2)中，溅射方式为直流、中频以及射频中的一种，溅射条件为：本底真空度为2.0～6.0×10^-3Pa，基片温度为40～80℃，溅射功率密度为6～10W/cm²，溅射气体为混合比例为1:2～1:3氧气和氩气；Na离子阻挡层的膜层厚度10～20nm。

6.如权利要求3所述的AZO透明导电薄膜制备方法，其中，步骤(3)中，溅射方式为直流、中频以及射频中的一种，溅射条件为：本底真空度为2.0～6.0×10^-3Pa，基片温度为40～80℃，溅射功率密度为10～30W/cm²，溅射气体为氩气；Zn层的膜层厚度5～30nm。

7.如权利要求3所述的AZO透明导电薄膜制备方法，其中，步骤(4)中，溅射方式为直流、中频以及射频中的一种，溅射条件为：本底真空度为2.0～6.0×10^-3Pa，基片温度为50～100℃，溅射功率密度为10-30W/cm²，溅射气体为混合比例为1:8～1:10的氧气和氩气；AZO层的膜层厚度300～500nm。

8.如权利要求3所述的AZO透明导电薄膜制备方法，其中，步骤(5)中，溅射方式为直流、中频以及射频中的一种，溅射条件为：本底真空度为2.0～6.0×10^-3Pa，基片温度为40～80℃，溅射功率密度为10～22W/cm²，溅射气体为混合比例为3:1～3:2的氮气和氩气；氧阻挡层的膜层厚度30～50nm。

9.如权利要求3所述的AZO透明导电薄膜制备方法，其中，步骤(6)中，溅射方式为直流、中频以及射频中的一种，溅射条件为：本底真空度为2.0～6.0×10^-3Pa，基片温度为40～80℃，溅射功率密度为8～15W/cm²，溅射气体为混合比例为1:2～1:3的氧气和氩气；减反层的膜层厚度40～150nm。

10.如权利要求4所述的AZO透明导电薄膜制备方法，其中，步骤(7)中，钢化温度为600～700℃，钢化时间为180～220s，升温速率为60～80℃/10s、降温速率40～50℃/s。