[发明专利]一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于它是按以下步骤进行：

一、自修复聚氨酯基底的制备：

在真空环境下，将聚四氢呋喃二醇加热至温度为105℃～120℃，在温度为105℃～120℃的条件下，保持1h～2h，然后降温至70℃～80℃，在温度为70℃～80℃的条件下，加入异佛尔酮二异氰酸酯、二羟甲基丁酸和二月桂酸二丁基锡，在氮气氛围及温度为70℃～80℃的条件下，搅拌反应2h～3h，得到自修复聚氨酯的预聚体；将2,4-戊烷二酮二肟溶解于四氢呋喃中，得到2,4-戊烷二酮二肟溶液；向自修复聚氨酯的预聚体中加入2,4-戊烷二酮二肟溶液，搅拌反应，然后流延成型并干燥，得到自修复聚氨酯基底；

二、银纳米线透明导电薄膜的制备：

将银纳米线分散液喷涂于自修复聚氨酯基底上，最后烘干，得到银纳米线透明导电薄膜；

三、银纳米线-MXene薄膜的制备：

将MXene分散液喷涂于银纳米线透明导电薄膜上，最后烘干，得到银纳米线-MXene薄膜；

四、透明电磁屏蔽薄膜的后处理：

使用氙气闪光灯，在能量密度为10J/cm²～12J/cm²的条件下，对银纳米线-MXene薄膜进行脉冲辐照600μs～650μs，重复辐照5次～8次，然后在氮气氛围及温度为80℃～100℃的条件下，加热100s～150s，最后自然冷却至室温，即可完成室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备。

2.根据权利要求1所述的一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中所述的聚四氢呋喃二醇的分子量为1000g/mol～2000g/mol。

3.根据权利要求1所述的一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中按质量份数称取20份～30份聚四氢呋喃二醇、50份～60份异佛尔酮二异氰酸酯、5份～10份二羟甲基丁酸、0.01份～0.1份二月桂酸二丁基锡、30份～40份2,4-戊烷二酮二肟及10份～20份四氢呋喃；在真空环境下，将20份～30份聚四氢呋喃二醇加热至温度为105℃～120℃，在温度为105℃～120℃的条件下，保持1h～2h，然后降温至70℃～80℃，在温度为70℃～80℃的条件下，加入50份～60份异佛尔酮二异氰酸酯、5份～10份二羟甲基丁酸和0.01份～0.1份二月桂酸二丁基锡，在氮气氛围及温度为70℃～80℃的条件下，搅拌反应2h～3h，得到自修复聚氨酯的预聚体；将30份～40份2,4-戊烷二酮二肟溶解于10份～20份四氢呋喃中，得到2,4-戊烷二酮二肟溶液；向自修复聚氨酯的预聚体中加入2,4-戊烷二酮二肟溶液，搅拌反应，然后流延成型并干燥，得到自修复聚氨酯基底。

4.根据权利要求3所述的一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中在温度为50℃～60℃的条件下，向自修复聚氨酯的预聚体中加入2,4-戊烷二酮二肟溶液，搅拌反应10h～15h，然后倒至聚四氟乙烯模板中流延成型，并在温度为60℃～80℃的真空干燥箱中，处理15h～20h。

5.根据权利要求1所述的一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述的银纳米线分散液具体是将银纳米线分散于去离子水中，得到浓度为1mg/mL～5mg/mL的银纳米线分散液。

6.根据权利要求5所述的一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于所述的银纳米线的直径25nm～30nm，长径比为80～100。

7.根据权利要求1所述的一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于步骤三中所述的MXene分散液具体是将MXene纳米片分散于去离子水中，得到浓度为0.1mg/mL～1mg/mL的MXene分散液。